“中國諾貝爾獎”給了光刻技術的顛覆者,沒有他就沒有臺積電的今天

“中国诺贝尔奖”给了光刻技术的颠覆者,没有他就没有台积电的今天

經濟觀察報 記者 陳伊凡 估計戈登·摩爾(Gordon Moore)自己也沒有想到,53年前發表在《電子學》雜誌(《Electronics Magazine》)上的《讓集成電路填滿更多的組件》,會在隨後半個多世紀左右半導體行業的發展。他曾在文章中預言,半導體芯片上的集成晶體管和電阻數量將會每年增加一倍,該預言也被後世稱為“摩爾定律”。

儘管摩爾定律在過去30年間被證明相當有效,但如果沒有一個人在技術上的突破,該定律可能早在此之前就已終結。這個人就是美國國家工程院院士、臺灣“中央研究院”院士林本堅——2018年未來科學大獎數學與計算機科學獎的唯一獲得者。他曾是臺積電的研發副總裁和傑出研究員。臺積電前董事長張忠謀曾說,如果沒有林本堅,臺積電的微影就沒有今天的規模。

改寫歷史

70多歲的林本堅,個頭不高,舉手投足間透著儒雅和禮節。

11月19日,在清華大學FIT樓的多功能廳,林本堅以“把半導體元件縮到光波長四十分之一”為主題,介紹了他傾其一生的光刻技術。當下熱門的人工智能芯片、5G芯片、挖礦芯片背後,幾乎都有浸潤式光刻技術的身影。根據IEEE近期的數據統計,浸潤式微影技術製造了至少世界上80%的晶體管。

林本堅戲稱自己所在的光刻行業是一個“寂寞的行業”。這不僅與半導體行業本身很“苦”的特點相關,也與光刻所需的技術門檻和研發週期相關。全球精於浸潤式微影技術的工程師不超過十位,林本堅便是其中翹楚。

如今,這個“寂寞的行業”正成為左右半導體芯片生產最為複雜和關鍵的步驟所在。

芯片生產主要分為IC設計、IC製造、IC封測三大環節。根據目的進行邏輯設計和規則,根據設計圖製作掩模以供後續光刻使用,然後將芯片的電路圖從掩模版轉移到硅片上,實現預定的芯片功能,包括光刻、刻蝕等,最後IC封測對芯片進行封裝和新能測試,再完成交付。

而將電路圖從掩模版轉移到硅片的過程,是半導體生產的難點。光刻技術是解決這一難點的關鍵步驟之一,其工作原理是在晶圓上塗上光刻膠,把掩模版放在晶圓上,讓光進行透射,經過物鏡補償各種光學誤差,將線路圖成比例縮小後映射到硅片上,被光透射到的光刻膠就發生性質變化,形成刻在硅片上的線路圖。

通常說的45nm、28nm和10nm,是半導體的不同技術節點,即不同製程。製程越小,單位時間內芯片能處理的信息就越多,信號傳遞速度更快,並且單位面積的提升能夠降低製作成本。光刻的工藝水平,直接決定芯片的製程水平和性能。

在半導體行業最初發展的三十年中,摩爾定律基本得以實現的關鍵,就在於光刻機能不斷實現更小分辨率,能夠在單位面積芯片上製造更多的晶體管,提高芯片的集成度。

在上世紀初,全球半導體制造路徑從0.13微米、90納米到65納米制程,根據摩爾定律,下一個工藝製程推算應該發展157納米光源的光刻技術,但157納米光源的商業化進程遲遲未能落地,摩爾定律面臨終結。

然而,林本堅用“以水為介質的193納米浸潤式微影”技術,改寫了這一進程。2004年,臺積電和ASML共同完成開發了全球第一臺浸潤式微影機臺。隨後,臺積電啟用全世界第一臺193納米“浸潤式微影技術”機臺,正式跨入65nm線寬的生產。這一技術成為此後65、45和32納米線寬製程的主流,推動摩爾定律往前推進了三代。

為什麼是林本堅

林本堅語速很慢,擅長用類比和故事來解釋艱深的技術,例如“有趣的 K係數”、“20735個 28nm的SRAM Cell可以放在一根頭髮的橫截面上”。他可以從自己高中第一臺照相機開始,說起自己與光的緣分。

而對於艱澀的光刻技術,林本堅就是從光刻機最小分辨率的計算公式開始講起的。公式中的每個係數,對應著半導體生產流程中的各個關鍵技術,當然也包括得出高解析度的秘密。

通過縮小分辨尺寸以增加解析度,這是一直以來許多工程師都在嘗試的辦法。具體操作無外乎增加孔徑、減少波長、減少工藝常數以及增加折射率這四個路徑。

第一種方法最為容易,只需花錢定製更大鏡頭的機器即可。但如此一來,鏡頭複雜度增加的同時,成本也隨之提升。

而降低波長的第二種方法,則需要改變光透射的媒介,且光阻的透明度也很難提高,同時也達不到降成本的目的。

但降低波長的辦法在很長一段時間裡卻頗為叫座。工程師們曾絞盡腦汁在將波長縮短至157納米的方法上,許多芯片廠商為此甚至投入數十億美金。但鏡片所需要的高品質材料以及光阻的透明度一直無法突破,157納米波長技術似乎走入死局。

減少工藝常數作為第三種方法看似完美,但真正在工程上做出改變卻很難,僅僅將它降低0.05就已十分艱難。用林本堅的說法,這需要“持續的創新”。

在成本可控和技術可實現之間,林本堅找到了自己的答案:增加折射率成為最後也是唯一的選擇,以水作為介質的193納米浸潤式微影的技術應運而生。

此前的光刻機都是乾式機臺,曝光顯影都是在無塵室中,以空氣為媒介進行。浸潤式微影技術可以用193納米的光刻鏡頭,用水作為介質,由於水的折射率大於1,進入光阻的波長也就縮小到134納米,解析度隨之提高,並且景深不會降低。

為何會是林本堅?這一看似理所當然的技術,為何不是被諸如Intel、IBM等行業巨擘率先突破?

其實早在浸潤式微影技術發明之前,美國、歐洲和日本的設備廠已經投下大量研發費,用開發157納米光源的光刻技術。如果再從193納米光源的技術中找突破,相當於挑戰業界的共識。

那段時間,林本堅不斷做實驗、發論文,像一個傳教士,四處奔走在研討會和一些設備廠商之間,試圖說服他們考慮浸潤式技術。

有一個案例,他說了多遍。2002年,他受邀參加一場國際光電學會技術研討會,討論157納米光源。但林本堅發言時“一直在說193納米”,當他提出193納米光源,經過以水為介質折射之後,進入光阻的波長能夠縮小到134納米時,語驚四座。“然後會上大家就沒有再談157納米,都在提193納米。”

許多學術研究的思路都是不計時間和成本去攻克最難的技術,但這一點,在產業化的實踐中並不現實。在當時各大廠商紛紛投入研發157納米波長的光刻技術時,林本堅卻調轉船頭。“當你發現一項研究在投入大量資金和時間之後未有進展,這時候需要做的是停下來,另闢蹊徑。”林本堅說。

摩爾定律的終結?

而今天,摩爾定律似乎又走到了新的關口。

摩爾定律衍生出來的行業邏輯是:新一代芯片的效能比上一代更強、價格變便宜、電路也比原來更多,芯片因此就一定會有市場。“我們過去是被光刻嬌縱慣了”,在林本堅看來,光刻技術每一代負責微縮70%,其他創新的腦筋因此而變懶。而摩爾定律是從尺寸上不斷微縮,有一天達到1納米甚至原子級別,但是微縮是有極限的。

傳統依靠工藝和設計工具的進步,推動半導體行業進一步發展的方式或將不再有效,需要在經濟上拓展新的可能性。這種觀點似乎也正逐漸形成業界的共識,這也是此次未來科學大獎峰會上以及學術報告會上,學者們認同的觀點。

由於大量的投入和高階的技術門檻,目前16/14nm生產線的廠商只有英特爾、三星、臺積電和格羅方德。先進的代工資源不斷減少,一些缺少資金和市場的芯片設計企業,將陷入找不到代工資源的困境,半導體行業亟待新的創新。

在這樣的背景下,清華大學微電子所所長魏少軍提出,以架構創新推動半導體行業發展,在人工智能時代以架構創新的方法,採用動態可重構的計算芯片技術,應用資源複用的思想,使得硬件架構和功能可以隨著軟件的變化而變化,從而實現軟件定義芯片,可以推動摩爾定律持續前行。

應用材料總裁兼CEO加里·迪克森表示,由於摩爾定律速度放緩,半導體行業的傳統戰術在功率、性能、成本上沒有提供必要的改進。“計算能力的本質正在發生變化。計算機和其他設備會不斷變得更強大,但是不僅僅是依靠速度,而是以更加多元的方式表現。新的計算架構也是推動計算機性能提升的重要領域。對特殊芯片的需求為半導體行業提供了空前的機遇。”加里·迪克森說。

“如果有一天半導體走不下去了,不是因為技術上做不到,而是因為它不再經濟。”魏少軍說。

林本堅對此看得更為現實:物理上的摩爾定律一定會終結,但經濟上會繼續推進。


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