如何評價中國高端光刻機研發成功?

皇貴妃好


1、研究方向不一樣。中科院的是單個高精度刻錄,主要用於高精度元器件的生產,當然也可以用於芯片的研製、驗證(不是大規模生產)。荷蘭公司的光刻機是成像刻錄,主要用於大規模生產芯片,但是不能用於單精度刻錄。

2、兩個光刻機的原理不一樣,中科院的光刻機理論上而言更加有優越性,採用一條全新的納米光學光刻技術路線,具有完全自主知識產權,能有效規避專利陷阱。

3、未來發展方向也不一樣,相對外國用來大規模生產製造集成程度更高功耗更小的芯片,中科院的光刻設備主要用於實驗室科研、軍工。現階段對於芯片的生產而言沒有很大影響。


小八卦直通車


11月29日,中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”通過驗收,這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。


光刻機為人所熟悉,因為它是集成電路製造業的核心角色。目前荷蘭ASML公司壟斷的尖端集成電路光刻機,加工極限為7納米,光電所的光刻機分辨率為22納米。

那麼我們是不是距離ASML不遠了,打破集成電路光刻機的壟斷指日可待了呢?其實並不是這樣的,大家千萬千萬不要被很多極其不負責任的媒體矇蔽了雙眼!!!!!

光刻機相當於一臺投影儀,將精細的線條圖案投射於感光平板,光就是一把雕刻刀。但線條精細程度有極限——不能低於光波長的一半。使用深紫外光源的光刻機是主流,其成像分辨力極限為34納米,分辨率進一步提高要用多重曝光等技術,很昂貴。

中科院的這個項目用的是一種叫做表面等離子體光刻法(SP)的辦法:金屬和非金屬薄膜貼合,交界面會有無序的電子;光線照射金屬膜,使這些電子有序振動,產生波長短得多的電磁波

,可用於光刻。光電所研製的光刻機,在365納米波長光源下,單次曝光最高線寬分辨力可以達到22納米。

看出來了嗎?這是走了條不一樣的路,用另一種方式產生了需要的波……

走別的路當然要付出代價,事實證明,SP方法出來的電磁波很弱,所以光刻膠得湊近了,才能刻出來。且加工精度與ASML的光刻機沒法比。刻幾十納米級的芯片是沒法用SP光刻機的,必須得ASML的極紫外光刻機來,注意,是極紫外光!想要產生穩定的、大功率的極紫外光,非得ASML不可!


光電所的光刻機並不是用來做芯片的,而是加工一系列納米功能器件,包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、生化傳感芯片和超表面成像器件,這對中國的遙感成像,生化痕量測量,特種表面材料等領域有重要意義。

我們的這個光刻機標誌著我國掌握了超分辨光刻鏡頭、精密間隙檢測、納米級定位精度工件臺、高深寬比刻蝕和多重圖形配套光刻工藝等核心技術。雖然無法涉足集成電路領域,但這也是一項不小的成就。

《科技日報》打了個比方,說如果以此認為我們的光刻機彎道超車了,就好像說中國出了個競走名將要超越博爾特。非常貼切,非常可笑!!!


我也看天下


先簡單一點正面回答:標誌著我國崛起!

由於現代網絡化的普及以及各行各業(尤其是科研領域)對芯片算力的依賴,高端光刻機研發成功對我國來說是一項極其重要的突破,從此以後,在芯片領域,我國不再被其他國家扼住咽喉;其帶來的巨大影響難以估量。


以下是詳述(很長,乾貨滿滿,看完您絕對不吃虧):

一、扼住我國咽喉的《瓦森納協議》

一切還要從當年的冷戰時期說起。

二戰結束以後,美蘇進入冷戰。由於當時在美帝及其同盟眼裡,蘇聯及其盟國都是邪惡軸心。為了防止蘇方陣型發展高端武器,在美國提議下,一共十七個國家於1949年11月成立了一個叫做巴黎統籌委員會(簡稱巴統)的組織。這是西方發達工業國家糾集起來的一個非官方的國際機構,目的是是限制成員國向社會主義國家出口戰略物資和高技術。列入禁運清單的有軍事武器裝備、尖端技術產品和稀有物資等三大類上萬種產品。

後來隨著國內形勢變化,還有美國對日態度和亞洲形態的重新估量,1952年,中國被列入了巴統的管制範疇。

這就是《瓦森納協議》的前身。

對建國初期歷史有些瞭解的朋友可能還有印象,當時我國的大部分技術都需要蘇聯支援,無法從其他國家獲得援助,巴統的存在就是原因之一。

後來,1994年,巴統解散;但是我國的並沒有因此進入好時代。

因為,1996年,《瓦森納協定》正式簽訂,其全稱為《關於常規武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納安排》。主要目的是為了控制常規武器和高新技術貿易。

(當然,封鎖對象依然是包括我國在內的一些國家)

《瓦森納協議》嚴重影響著我國與其成員國之間開展的高技術國際合作。在中美高技術合作方面,美國總是從其全球安全戰略考慮,並以出口限制政策為藉口,嚴格限制高技術向我國出口。中美兩國雖然在能源、環境、可持續發展等領域科技合作比較活躍,但是在航空、航天、信息、生物技術等高技術領域幾乎沒有合作

可以說,在高技術領域,我國一直被《瓦森納協議》扼住咽喉。


二、《瓦森納協議》對我國芯片領域的具體影響

就拿晶圓代工來說,將時間推回到2011年,當時的全球半導體前15大設備供應商全部都是受到《瓦森納協議》限制的,這樣中芯國際就買不到最先進的製造設備,和比利時微電子研究中心(IMEC)的合作就是曲線救國的一種方式;IMEC先從ASML應用材料買設備,用完5年後符合瓦森納協議要求就可以轉賣給中芯國際,

這就是中芯國際落後的根本原因--根本買不到新設備

Intel、三星、臺積電2015年能買到ASML10NM的光刻機。而大陸的中芯國際,2015年只能買到ASML2010年生產的32NM的光刻機。5年時間對半導體來說,已經足夠讓市場更新換代3次了。

除了不能買到最新的設備以外,受到《瓦森納協議》的影響,華裔工程師還不能進入到歐美等知名半導體公司的核心部門,防止技術洩露

這種貿易和技術封鎖,也是我國大力推進光刻機研究的一個重要原因之一!

如今,三星等等企業都已經可以量產7NM級別的芯片,設備採購等等全都不是問題;我國卻無法買到最基礎的光刻設備(在《瓦森納協議》限制下,理論上我國如果要購買7NM級別的設備,最早也得到2023、24年左右,那還得有國家願意賣才行),所以,只能自行研究、自己製造。


三、我國高端光刻機研發成功的意義

知道了《瓦森納協議》對我國的封鎖和限制,自然也就能明白高端光刻機的研發成功,首先就是標誌著我國在芯片領域突破了一層限制,為我國芯片技術和產業的發展,拓寬了道路,這是最重要的一點。

雖然我國並不能因此就直接追上世界最尖端的隊伍但是從此之後,我國的芯片技術將再上一個大臺階,很可能在不久的將來,國產芯片就會強勢崛起,無論是電腦,還是手機,都將大幅度降低對INTEL、AMD、高通等芯片企業的依賴性

隨之而來的,一方面是在貿易方面(尤其是芯片相關領域),可以挺直腰桿,獲得更高的自由度(想想像雷軍這樣的老闆,天天跑去高通求爺爺告奶奶的日子……);另一方面是在實用方面,國產芯片的成本必將低於進口芯片,這將進一步推進智能化產品的普及;還有就是在科研方面,由於光刻機和芯片的解鎖,很可能我國會再解鎖一批高精尖產品的製造工藝,從而對科技進步產生推動,例如航空、航天、生物、信息等等領域,必將都產生推動的作用。

但是這些如果細說,那就又會是很長很長的故事了。


最後,概括一下:總之,高端光刻機的研發成功,對我國來說是一項非常非常重要的突破,將給各行各業都帶來推進,其影響之大,難以想象;甚至說標誌著我國終將崛起,都毫不為過。


酔語


1.對中國來說是一項重大突破,可以實現22納米的芯片研發與生產,不會在關鍵時期被他人卡住。

2.目前全球光刻尖端技術是7納米,還需要持續加速發展才能突破其中的關鍵技術。

3.光刻是芯片生產中的一個環節,要製造7nm芯片還要在材料、機械、電子等多個方面提升後才能實現。


sk2018


光刻機是生產芯片的設備,中國起步比較晚,與西方還有很大差距,光刻機是一個產業,就像以前街上衝印像片的商店,把你的圖樣加工成芯片的初期半成品,這個就叫做代工,美國這麼發達的芯片產業也離不開代工。因此千萬不要以為有了光刻機就有了芯片,不是一回事。


tuofuo


已經證實中科院的設備還僅是原理機,有很大的侷限性,根本無法用於ic製造,不能解決中國芯片製造所面對的設備問題,不過可以應用在光柵、光子晶體之類的週期性結構產品上,比如,可以用於軍事類半導體材料。


開口就亂罵人的是瘋狗


該技術突破,保障了我國在基礎芯片上能夠保障國產化,可以有效供應國內廣大的基本需求,減少進口依賴,為繼續拉近了與發達國家技術的距離,保障即使在最壞的外部環境到來,能夠自主自強,滿足一般需求,不會在關鍵時刻完全卡殼!


望虔南


衷心祝賀,真誠祝福。但願,不是么蛾子,不是玩貓膩。


逍遙逸夫1


光刻機研究取得重大進展,但到成功應用還有很長、很長的路要走,攻克芯片加工技術何止幾家、幾十家研究機構在進行⋯只能一步一步來,各國都在前進,比無止境,一年一個樣


得亮1


好,為科技工作者點贊。堅持下去一定能登上頂峰。毛主席教導我們說“自力更生,艱苦奮鬥",讓造不如買,買不如租見鬼去吧。


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