❤要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。
❤MOS管即場效應管（MOSFET），屬於壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，
是電力電子的核心元件。❤MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當於NPN的三極管；P溝道相當於PNP的三極管。實際設計及應用中，N溝道MOS管佔絕大多數，所以下面以N溝道MOS管為例進行講解（如圖1中Q3，柵極-G；漏極-D；源極-S）。
❤MOS管的使用通常可以分為兩種情形：
①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關管使用，電流可達數安培，如圖1為MOS管驅動直流電機電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣；原理參見文章《 》。
此類應用的MOS管Vgs電壓大於門檻電壓4.5V（又叫平臺電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制本人還是選擇使用三極管。
圖1：邏輯控制MOS管
②參與PWM控制，例如文章《 》；橋式驅動電路以及開關電源電路等應用廣泛。
如圖2為有刷直流電機橋式驅動電路，G1、G2、G3、G4為推輓PWM控制，VS1、VS2接電機，可實現大功率直流電機調速，正反轉控制。此類應用的MOS管Vgs電壓大於10V，通常使用12V（為保證導通深度，PWM的幅值為12V）。且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻並聯一個反向二極管，目的是保證MOS管的關斷速度比導通速度快，防止上橋與下橋直通短路。
圖2：有刷直流電機橋式驅動電路
❤徹底瞭解MOS管，我們應從以下兩點入手：
①什麼是米勒效應，米勒效應下為什麼會有Vgs平臺電壓；
②MOS管的開關損耗、導通損耗、續流損耗。
如圖3所示，G極與D極存在極間電容Cgd，G極與S極存在極間電容Cgs，當G極有高電平信號時，電容Cgs充電到門檻電壓4.5V時，DS極開始導通，D極電平下降趨近於0V，此過程電容Cgd開始充電，使G極電壓在短時間內保持在4.5V，這就是米勒效應。
圖3：米勒效應測試原理圖
該門檻電壓Vgs就是MOS管的平臺電壓；該平臺電壓的在MOS管開通和關斷期間都存在，其寬度與G極電阻有直接的關係。
如圖4為G極電阻為10Ω時MOS管開通的波形，紅色代表Vgs的電壓波形，藍色代表Vds的電壓波形。平臺電壓的寬度很窄（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區，Vds很窄（綠色箭頭）。
圖4：G極電阻為10Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖5為G極電阻為100Ω時MOS管開通的波形，平臺電壓的寬度變寬明顯（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區，Vds變緩（綠色箭頭）。
圖5：G極電阻為100Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖6為G極電阻為200Ω時MOS管開通的波形，平臺電壓的寬度變寬更明顯（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區，Vds變緩更大（綠色箭頭）。
圖6：G極電阻為200Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖7為G極電阻為200Ω時MOS管關斷的波形，同樣有平臺電壓的存在。
圖7：Vgs與Vds波形（關斷）
❤MOS管的損耗意味著發熱，要使MOS管正常工作，必須瞭解各種損耗。如圖8 ：
開關損耗分為MOS管的開通損耗和關斷損耗，G極電阻的大小決定了開通和關斷的速度，該電阻越大開關損耗越大；
導通損耗取決於DS極間導通後的等效電阻Rds(on)，該電阻越大導通損耗越大；
續流損耗指的是S極到D極間的正向二極管的損耗，該損耗通常不考慮（本文略）。
圖8：MOS管的主要損耗
❤如圖9，對MOS管的選型，主要參數都會在前面直接給出（紅框內），DS極耐壓（Vdss）通常選擇工作電壓的1.5--2倍；漏極電流（Id）通常選擇工作電流的5--10倍；Rds(on)儘量越小越好。另外G極的Vgs電壓範圍是±20V以內，幾乎所有的MOS管都如此。
圖9：MOS管參數
所以，MOS管的開關損耗跟設計有直接的關係，縮短導通和關斷時間可有效降低開關損耗；最後，驅動MOS管的推輓電路很多都已集成在驅動芯片內部，輸出能力很強，通常電流可達1A。
❤本頭條號專注產品級的電子、電氣的設計及應用，不定期更新硬核知識，謝謝欣賞。
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