據報道稱，中國科學院光電研究所在“超分辨率光刻設備研製項目中”取得重大突破，研製出全球首臺用紫外光源實現曝光度達22納米的光刻機，並結合多次曝光技術，未來可實現10納米級芯片的研製工作，這為我國未來打破美國壟斷，實現“中國芯”提供了堅實的技術基礎！
光刻機是集成電路中最重要的設備，簡單來說就是一臺光刻機的先進水平決定著芯片的先進程度，因此西方也是一直對我國實行“封鎖政策”，相信大家對於今年年初發生的“ 中興事件”並不陌生，而造成這的最大原因，就是我國沒有自主研製“中國芯”的技術，因此在“ 中興事件”中，我國一直處於被動狀態。
一直以來，生產芯片的光刻機是我國半導體設備製造上的最大短板，此次中國科學院光電研究所可以說填補了我國在半導體 核心設備上的空白，值得一提的是，中國研製的光刻機，走了一條“與眾不同”的路，並繞過了國外相關知識產權的障礙。
據項目副總師胡松介紹道：目前世界光刻機大多都使用的深紫外光源技術，其分辨率極限達到了34納米，如想要分辨率進一步提高，就要使用多重曝光等技術，但這些技術成本涉及到了知識產權的問題，國外給出的價格太高，因此我們擯棄了這項方案，使用了產生波長短得多的電磁波用於光刻。對此有網友評價道“研發難度倒是其次，但繞過知識產權的這個障礙太難了。所以現在荷蘭跑來中國，願將此前一直未肯出售的光刻機自發地賣給中國”。
也有網友回覆稱，連光刻機的巨頭荷蘭的ASML都跑來中國“求合作”，看來我國的這次繞過知識產權給荷蘭ASML公司留下了深刻的印象啊！此外中國自主研製的光刻機雖然在性能上與EUV光刻機相差無幾，但是在價格上確是“天壤之別”！
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