11月29日，由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”通過驗收，該裝備用365nm波長的紫外光單次成像實現了22nm的分辨率，為光學超材料/超表面、第三代光學器件、傳感芯片等納米光學加工提供了全新的解決途徑。
本來這僅僅是我國光刻機國產化萬里長征的第一步，完成國產替代依然任重而道遠。但這一消息引來眾多自媒體的“自嗨文”，高呼中國自主突破，不可戰勝。《國產光刻機的偉大突破，國產芯片白菜化在即！》、《中國芯片正崛起！國產光刻機突破荷蘭技術封鎖，彎道超車！》、《中國造出全球首臺新式光刻機 芯片荒有救了》。
12月3日，科技日報的一篇《國產22納米光刻機治不了咱們的“芯”病！》立刻“打臉”這些“自嗨”文。文章指出，驗收會上有記者問：該光刻設備能不能刻芯片，打破國外壟斷？光電所專家回答說，用於芯片需要攻克一系列技術難題，距離還很遙遠”。總之，中科院的22納米分辨率光刻機跟ASML壟斷的光刻機不是一回事。
光刻機是製造芯片的核心裝備，目前光刻機核心技術在歐美日本廠商手裡，我國在這一領域長期落後。如果採用傳統的製造路線，中國要追趕是非常困難的。中科院光電所利用表面等離子體超分辨成像原理，採用全新技術，取得了多項技術突破。繞過了高分辨光刻裝備技術知識產權壁壘。
目前該項目目前已獲得了授權國內發明專利47項，國外發明專利4項，擁有完全自主知識產權。在應用方面，項目組為多家單位制備了一系列納米功能器件，包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化傳感芯片、超表面成像器件等，驗證了超分辨光刻裝備納米功能器件（非IC芯片）加工能力。
但另外一方面，該裝備還不具備用於產線上微電子芯片的製造能力，不能代替微電子芯片的製造。中科院光電所這次突破，只能算技術路線嘗試的一小步，未來商業化道路還比較漫長。
目前，光刻機領域的龍頭老大仍然是荷蘭ASML，佔據了高達80%的市場份額，壟斷了高端光刻機市場。其最先進的EUV光刻機售價曾高達1億美元一臺，且全球僅僅ASML能夠生產。Intel、臺積電、三星都是它的股東。光刻機領域的另外兩位參與者，日本佳能和尼康已經基本放棄第六代EUV光刻機的研發。
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