华为有没有能力研究光刻机?

东北小陈故事


如果英国人把内燃机申请了专利,就没有福特和通用,如果不受专利约束,中国迟早可以做出高端光刻机,机器不仅仅是组装,需要各个部件具备相当水平,光学,电子,机械,都要最好的,绝非一家能独立做出来,可以说,如果美国或日本制裁荷兰,asml也要歇菜


立法专业户


    前两天,有个朋友问我“光刻机是不是刻录CD的机器啊,华为造不出来吗?”。看来很多人不知道光刻机是怎么回事,下文具体说一说。

    什么是光刻机?

    简单来说,光刻机是用来制造芯片的,比如手机处理器、电脑CPU、内存、闪存等,可以说半导体离不开光刻机。

    目前,最先进的EUV光刻机全球仅有荷兰的ASML能生产,集成了全球最先进的技术,90%的关键设备均自外来,德国的光学技术设备、美国的计量设备和光源设备、瑞典的轴承,ASML要做的就是精确控制。

    最关键的是,这些精密的设备,对我国是禁运的,客观上反应了我国和西方精密制造领域的差异。

    有钱也买不到

    既然无法生产最先进的光刻机,那么可以从ASML那里买到吗?很难,原因有两点。


    1)独特的合作模式

    ASML有一个奇特的规定,只有投资了ASML,才能获得优先供货权,英特尔、三星、台积电、海力士等在ASML中有相当的股份,形成了庞大的利益共同体。ASML的光刻机产量本来就不高,还被“抱团”企业抢走了大部分订单。

    因此,我国的中芯国际2018年成功预定的7nm光刻机,至今仍未收到。

    2)瓦森纳协定的限制

    《瓦森纳协定》是一部全球性的法令,我国就在被限制的名单中,严格限制高技术向我国出口高新技术。因此,我国与发达国家在能源、环境、可持续发展等领域科技合作比较活跃,但是在航天、航空、信息、生物技术等高技术领域很少合作。

    回到半导体,也正是这个原因,从芯片设计、生产等多个领域,不能获取到国外的最新科技。还可能因为一些“莫须有”的原因,被卡脖子。

    我国的光刻机技术水平

    目前,我国生产光刻机的厂家有上海微电子、中电科技等,但是制程工艺相对较低。上海微电子(SMEE)是国内最领先的光刻机研制单位,能够稳定量产90nm的光刻机,距离荷兰ASML的7nm工艺还很远,而且ASML即将量产5nm工艺的光刻机。


    总之,我国生产的光刻机与世界先进水平有很大的差距,主要是因为西方技术封锁造成的。同时因为很多原因,也无法买到最先进的EUV光刻机。这也验证了那句话,只有掌握核心技术,才不会被“卡脖子”。


如果觉得对你有帮助,可以多多点赞哦,也可以随手点个关注哦,谢谢。

Geek视界


很遗憾的告诉你,华为目前无法研究出光刻机。

光刻机是制造芯片的最核心设备之一。但至今为止,我国在光刻机方面一直没有拿出手的成绩。

那为什么说华为无法研究出光刻机呢?

首先来了解下光刻机的原理。光刻机也叫曝光机,光刻简单理解就是用光来制造电路结构。用光刻机来制造芯片的过程,实际上跟洗照片有点类似,我们把设计好的集成电路图通过紫外光源用掩模板刻到硅晶圆上的过程。

光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础,世界上掌握这个技术的企业屈指可数,最好的光刻机企业是荷兰的艾斯摩尔ASML。这家公司在光刻机技术上应该说遥遥领先,处于垄断地位。排在ASML后面的是日本企业,尼康和佳能。

光刻机原理虽然简单,但制造精度可以说是变态的高。比如ASML的7nm芯片工艺,要知道原子的大小在0.1纳米,这个精度我国就无法制造。再比如光刻机超高精度的对准系统,要求近乎完美的精密机械工艺。

除以以外,光刻机并不是一项单独的技术,一台光刻机有超过80000个复杂零件,集成数百家的专利技术,它需要强大的整合能力,这使得光刻机很难被模仿。国外企业甚至放话:给你图纸,你都造不出来。

我国的光刻机和芯片能力离世界水平还有很大差距,但是在中兴事件后我们已经认识到制造高端芯片的重要性,国家政策也开始倾向这个领域。最后说一点,自主创新是进步的灵魂,我们一定要研发自己的核心技术。


宇宙中的一杆枪


以华为的研发能力,华为只要某个领域介入就能做出来并且最差也能世界前三!!!!!!华为七代机,核动力航母都在研发中!!!光刻机华为的技术也已经可以媲美ASML了吊打佳能尼康!!!华为要是把研发成果全部公布的话至少可以拿100位诺贝尔奖!!!华为牛逼不上市,如果上市的话市值可以超过美国GDP!!!


小马哥1856


不知道为什么总是有人问这样的说起来很无知的问题!

1、华为目前没能力研发光刻机

目前光刻机最好的技术在ASML,可用于5、7nm的芯片制造,而中国量产的技术在90nm,相差至少是10年吧。

光刻机的核心技术究竟是什么?从元件来看,核心设备是镜头,而核心技术是分辨率和套刻精度。镜头这东西目前主要是采购,比如从日本索尼、CANNO来采购,但分辨率、套刻精度就要靠装配工艺了。ASML之前说公开图纸,别人也造不出来,就是指装配工艺可不是按图纸就能够造出来的,需要几十年积累,这一方面华为目前没有,中国厂商都没有,所以华为造不出来。


2、未来估计也不会去研发光刻机

前面已经讲过了,华为目前没有能力造光刻机,那么未来有没有能力,这个就不好说了,但我觉得未来华为估计也不会去研发光刻机。

虽然现在来看,似乎华为什么都做,从原本的通信设备厂商,到手机,电脑,芯片,操作系统、云等等。

但华为也是有自己的边界的,这些年的业务延伸,更多的还是基于自己的业务慢慢去扩散,以通信技术、AI等为基础。

很明显,光刻机是半导体制造领域,并不是华为需要去干的事情,所以未来大概率不会去做光刻机。


3、华为并不需要什么都去做,也没这个必要

最后再说说,很多人总是莫名其妙的,其实一旦企业强了,就什么都要干,什么都能干,这是不正确的,就算企业想要多元化,也是有自己的边际,有所为有所不为。

华为并不需要什么都做,坦白讲,华为也没有这个能力,也没这个必要,所以关于光刻机,就不要强行往华为身上套了。


互联网乱侃秀


目前在我国光刻机研制、生产领域最强的是:

中科院光电所研发出365纳米波长,曝光分辨率达到22纳米的光刻机,是近紫外的光线,离极紫外还有一点差距。光刻机的波长决定了芯片工艺的大小,波长越短,造价越高。像荷兰ASML公司最先进的EUV极紫外光刻机,波长只有13.5纳米,可以生产10nm、7nm的芯片。


跪射俑


答:有。理由三方面:(1)华为有骨气。美国以一国之力,动员全球同盟力量打压华为,华为以一企的卑微仍然保持着“大雪压青松,青松挺立直”的昂扬姿态屹立于世,有这样有骨气,是任何力量都压不跨的,即使美国重重封锁,华为终究“绝地反击”,自己研究出光刻机。(2)华为有实力。如今的华为,资产雄厚,富可敌国,又广揽人才,集天下之英才为己用,帷下数学家、化学家、物理学家等成千上万,一旦决定自己研发,财力人力足以保障。(3)华为有灵魂。华为公司有“狼文化”,集团上下团结一心,个个想建功立业,敢于与强手竞争并立于不败之地,其自立自强的不服输精神世人皆知,没有什么不可战胜也。


愤怒的木棉


华为有没有能力研究光刻机?我们没有华为是万万不能的,但华为也不是万能的!目前华为是没有这个能力。不过按照光刻机的原理,只要华为大手笔投入从全球广泛挖来光刻机研究人才投入到光刻机的研发中去,是可以研发出来的。

<strong>

光刻机可以说是需要最顶尖精密的仪器之一,技术含量高而且零部件也高,涉及到系统集成、材料、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等等各种先进的技术。但光刻机的原理并不是不能攻克的,就如目前国内的上海微电子设备集团就已经有自己的光刻机,虽然是低端光刻机原理是差不多的。

<strong>

不过可惜的是,只是研发出来没啥用,没有相关高精细零部件的配套,也是空话一句。也就是制造不出来,不能达到制造高端芯片的要求。如果只是研发出低端光刻机也没啥用,国内市场已经具备而重复了,我们要的是高端光刻机。


光刻机的市场需求量小,基本上被荷兰ASML、日本尼康、国内上海SMEE公司所垄断。上海SMEE公司具备研发和生产光刻机的能力,但不能研发高端光刻机而且更没有办法引进高端高精细零部件而没有办法制造高端光刻机。为什么?

目前我们要制造高端光刻机所需周边产业链不能满足要求,需要高精尖的光源、高精度轴承、反射镜片等等,这些部件ASML也得要从欧美日等公司采购,资金和技术也要依赖于他的大客户如三星、英特尔、台积电等。但这些高精尖的零部件,欧美日又是对我们禁运获取不到了,我们只有从自己的产业链上进行培养,但这个培养时间可不是短期的,甚至有可能培养不起来。

如果高端光刻机一直从ASML处获取不到,今后如果连加工高端芯片也被限制,那也就不得不从自己研发高端光刻机的方向走。可行的办法可能是有实力的相关企业联合起来,不但攻克高端光刻机本身研发技术,同时攻克零部件技术,也许整个产业链就起来了。比如华为联合上海SMEE、中科院广电技术研究所、以及关键零部件的研发企业,共同组建联合体进行整体推进,也许我们拥有高端光刻机甚至打垮ASML也不是梦。


更多分享,请关注《东风高扬》。


东风高扬


华为有能力研究光刻机,但我觉得华为目前并不会花太大的代价去研究光刻机,这就好比高通为什么不去做手机。

如果高通做了手机,那么就一定会失去和他合作的手机产商,逼迫他们自己去研发芯片,并且高通不太可能有更多的精力去搞新一代的芯片研发。

其实早在60-70年代,光刻机的原理像幻灯机一样简单,就是把光通过带电路图的掩膜(Mask,也叫光罩)投影到涂有光敏胶的晶圆上。

只是随着时间的推移,人类电子信息方面的爆炸式增长使得对信息方面的要求也越加严苛,这就导致了能造出目前芯片的光刻机成本和难度系数也越来越大,准入门槛也越来越高。

华为是完全有能力制造出自己的光刻机的,但是离目前能达到的nm级别还很远,需要花费很大的人力和物力,我想短期内华为是不会耗费太大的资源投入到这方面,毕竟光刻机的市场需求是特别小的。

早期60年代的光刻,掩膜板是1:1尺寸紧贴在晶圆片上,而那时晶圆也只有2.54厘米大小。光刻在那时并不是搞科技,半导体公司通常自己设计、生产、封装,比如Intel开始就是买16毫米摄像机镜头拆了用。只有GCA、K&S和Kasper等很少几家公司有做过一点点相关的设备。

60年代末,日本的尼康和佳能开始进入这个领域,毕竟当时的光刻不必照相机复杂。

70年代初,光刻机技术更多的是集中在如何保证是个甚至是更多个掩膜板精准的套刻在一起。Kasper仪器公司首先推出了接触式对齐台并领先了几年,Cobilt公司做出了自动生产线,但接触式台后来被接近式台所淘汰,因为掩膜和光刻胶多次碰到一起太容易污染了。

1973年,拿到美国军方投资的Perlin Elmer公司推出了投影式光刻系统,搭配正性光刻胶非常好用而且良率颇高,因此迅速占领了市场。

1978年,GCA推出真正现代意义的自动化步进式光刻机(Stepper),分辨率比投影式高5倍达到1微米。这个很怪的名字Stepper来自于照相术语Step and Repeat,这台机器通俗点说,是把透过掩膜的大约1平方厘米的一束光照在晶圆上,曝光完一块挪个位置再刻下一块。由于刚开始Stepper生产效率相对不高,Perkin Elmer在后面很长一段时间处于主导地位。

80年代,是光刻机群雄争霸的年代

光刻机是个小市场,一年卖几十台就算是大厂了。因为半导体产商就那么多,一台机器又能用好多年。这导致你的机器落后一点,就没有人愿意买了。技术领先是夺取市场的关键,赢家通吃。

80年代一开始,GCA的Stepper还稍微领先一点,但很快尼康发售了自己首台商用Stepper NSR-1010G,拥有更先进的光学系统,极大提高了产能。两家一起挤压了其他厂商的份额,尤其是Perkin Elmer的投影式光刻机。Perkin Elmer的市场份额从80年代超过3成快递跌到84年不到5%。

80年代是日本半导体最风光的时候,本土几乎每家大公司大财阀都进入了半导体产业。这给尼康和佳能双雄带来了巨大的后盾,并开始反攻美国市场。

由于GCA的晶片组来自蔡司,不像尼康自己拥有镜头技术,合作问题使得GCA产品更新方面一直落后了半拍。1982年,尼康在硅谷设立了尼康精机,开始从GCA手里夺下一个接着一个的大客户:IBM、Intel、TI、AMD等等。

到了1984年,尼康已经和GCA平起平坐了,各占三成市场。UItratech占约一成,Eaton、Perkin Elmer、佳能、日立等剩下几家每家都不到5%。

为什么我们要特别的看待1984年呢?

ASML被广为传播:ASML是飞利浦分离出来的,虽然不能说不对,但是和大家想象的样子还是有些不同的。

飞利浦在实验室里研发出Stepper的原型,但不够成熟。因为光刻市场太小,飞利浦也不能确认它是否有商业价值,去美国和Perkin Elmer、GCA、Cobilt、IBM等谈了一圈没人愿意合作。

有家荷兰小公司叫ASM International的老板Arthur Del Prado听说了有这么回事,就主动要求合作。但这家代理出身的公司只有半导体前后的经验,对光刻其实不太懂,等于算半个天使投资加半个分销商。

飞利浦犹豫了一年时间,最后勉强同意了设立50%:50%的合资公司。1984年4月1日ASML成立的时候,只有31名员工,在飞利浦大厦外面的木板简易房里工作。

▲ASML最早成立时的建议平房,后面的玻璃大厦是飞利浦。

ASML在头一年只卖出1台Stepper,第二年卖出4台。第一代产品不够成熟,但是背靠飞利浦大树的各种资源和容忍让它生存了下来。

ASML在1985年和蔡司(Zeiss)合作改进光学系统,终于在1986年推出了非常棒的第二代产品PAS-2500,并第一次卖到了美国当时的创业公司Cypress,就是今天的Nor Flash巨头。

有意思的是,1986年半导体市场大滑坡(光三星半导体就亏损了3亿美元),导致美国一帮光刻机产商都碰到了严重的财务问题。ASML还小,所以损失不大,还可以按既有计划开发新产品。同期,GCA和Perkin Elmer的新产品开发都停滞了下来。

1988年GCA资金严重匮乏被Genernal Signal收购,有过了几年GCA找不到买主被关闭。General Signal旗下另外一家UItratech最终被MBO收购,但是规模也不大了。1990年,Perkin Elmer光刻部也支撑不下去被卖给了SVG。

1980年还占据大半壁江山的美国三雄,到80年代末地位完全被日本双雄取代。这时ASML还只有大约10%的市场占有率。

光刻机的波长竞争

忽略掉美国被边缘化的 SVG、Ultratech 等公司,90 年代一直到现在的格局,一直是 ASML 和尼康的竞争,佳能在旁边看热闹。

半导体领域的原生驱动力是摩尔定律。摩尔定律其实应该被叫做摩尔预言,这个预言中间还改过一次。戈登摩尔博士 1965 年最早的预言是集成电路密度每年翻倍,而 1975 年他自己改成每两年翻倍。

有人说,这是人类历史上最伟大的 " 自我实现的预言 ",因为英特尔就是照着这个预言一路狂奔数十年,直到光刻技术被卡在 193nm 上十多年变成网友说的 " 牙膏厂 "。

为了实现摩尔定律,光刻技术就需要每两年把曝光关键尺寸 ( CD ) 降低 30%-50%。根据瑞利公式:CD=k1* ( λ/NA ) ,我们能做的就是降低波长 λ,提高镜头的数值孔径 NA,降低综合因素 k1。

搞更短的波长是最直接的手段。90 年代前半期,光刻开始使用波长 365nm i-line,后半期开始使用 248nm 的 KrF 激光。激光的可用波长就那么几个,00 年代光刻开始使用 193nm 波长的 DUV 激光,这就是著名的 ArF 准分子激光,包括近视眼手术在内的多种应用都应用这种激光,相关激光发生器和光学镜片等都比较成熟。

但谁也没想到,光刻光源被卡在 193nm 无法进步长达 20 年。直到今天,我们用的所有手机电脑主芯片仍旧是 193nm 光源光刻出来的。

90 年代末,科学家和产业界提出了各种超越 193nm 的方案,其中包括 157nm F2 激光,电子束投射 ( EPL ) ,离子投射 ( IPL ) 、EUV ( 13.5nm ) 和 X 光,并形成了以下几大阵营:

157nm F2:每家都研究,但 SVG 和尼康离产品化最近。

157nm 光会被现有 193nm 机器用的镜片吸收,光刻胶也要重新研制,所以改造难度极大,而对 193nm 的波长进步只有不到 25%,研发投入产出比太低。ASML 收购 SVG 后获取了反射技术,2003 年终于出品了 157nm 机器,但错过时间窗口完败于低成本的浸入式 193nm。

13.5nm EUV LLC:英特尔,AMD,摩托罗拉和美国能源部。ASML、英飞凌和 Micron 后来加入。

关于 EUV,我放到后面在说吧。

1nm 接近式 X 光:日本阵营 ( ASET, Mitsubishi, NEC, Toshiba, NTT ) 和 IBM

这算是个浪漫阵营吧,大家就没想过产业化的事

0.004nm EBDW 或 EPL: 朗讯 Bell 实验室,IBM,尼康。ASML 和应用材料被邀请加入后又率先退出。

这是尼康和 ASML 对决的选择,尼康试图直接跨越到未来技术击败 ASML,但可惜这个决战应该发生在 2020 年而不是 2005 年,尼康没有选错技术但是选错了时间。尼康最重要的技术盟友 IBM 在 2001 年也分心加入了 EUV 联盟。

0.00005nm IPL: 英飞凌、欧盟。ASML 和莱卡等公司也有参与。

离子光刻从波长来看是最浪漫的,然而光刻分辨率不光由波长决定,还要看 NA。人类现有科技可用离子光刻的光学系统 NA 是 0.00001,比 193nm 的 NA=0.5~1.5 刚好差 10 万倍,优势被抵消了。

以上所有努力,几乎全部失败了。

它们败给了一个工程上最简单的解决办法,在晶圆光刻胶上方加 1mm 厚的水。水可以把 193nm 的光波长折射成 134nm。

浸入式光刻成功翻越了 157nm 大关,直接做到半周期 65nm。加上后来不断改进的高 NA 镜头、多光罩、FinFET、Pitch-split、波段灵敏的光刻胶等技术,浸入式 193nm 光刻机一直做到今天的 7nm ( 苹果 A12 和华为麒麟 980 ) 。

2002 年台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了浸入式 193nm 的方案,随后 ASML 在一年的时间内就开发出样机,充分证明了该方案的工程友好性。

随后,台积电也是第一家实现浸入式量产的公司,随后终于追上之前制程技术遥遥领先的英特尔,林博士因此获得了崇高的荣誉和各种奖项。

MIT 的林肯实验室似乎不服气,他们认为自己在 2001 年就提出了这个浸入式方案。ASML 似乎也没有在任何书面说明自己开发是受林博士启发。

其实油浸镜头改变折射率的方式由来已久,产业界争论是谁的想法在先从来不重要,行胜于言。林博士的贡献是台积电和 ASML 通力合作把想法变成了现实。

日荷争霸

在 ASML 推出浸入式 193nm 产品的前后脚,尼康也宣布自己的 157nm 产品以及 EPL 产品样机完成。然而,浸入式属于小改进大效果,产品成熟度非常高,所以几乎没有人去订尼康的新品。尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机。

之前我们提到光刻领域是赢家通吃,新产品总是需要至少 1-3 年时间由前后多家厂商通力磨合。别人比你早量产就比你多了时间去改善问题和提高良率。

光刻机就像印钞机,材料成本可以忽略不计,而时间就像金子一样珍贵。

半导体厂商更愿意去买成熟的 ASML 产品,不想去给尼康当白鼠。

这导致后面尼康的大溃败。尼康在 2000 年还是老大,但到了 2009 年 ASML 已经市占率近 7 成遥遥领先。尼康新产品的不成熟,也间接关联了大量使用其设备的日本半导体厂商的集体衰败。

佳能在光刻领域一直没争过老大。当年它的数码相机称霸世界利润很好,对一年销量只有百来台的光刻机重视不够。

佳能的思路是一款产品要卖很久,他们一看 193nm 尼康和 ASML 打得太厉害就直接撤了。直到现在佳能还在卖 350nm 和 248nm 的产品,给液晶面板以及模拟器件厂商供货。

尼康在浸入式一战败下来就彻底没有还手之力了,因为接下来 EUV 的开发需要投入巨资而且前景未卜,英特尔倒向 ASML 使得尼康失去了挑战摩尔定律的勇气。

EUV 光刻机

这个产品其实是 ASML 在没有竞争对手的情况下研发的,而且做了十多年到今天也没有量产。

那它背后的驱动力是什么呢?

英特尔绝对是最坚定的支持者,因为它的使命之一就是让摩尔定律走下去。

早在 1997 年,英特尔看到挑战 193nm 的巨大难度,决心集合人类精英一起愚公移山,有点流浪地球的意思。他们说服了美国对高科技最开明的克林顿内阁,以公司形式发起了 EUV LLC 这样的一个合作组织。

这个组织由英特尔和美国能源部牵头,集合了当时还如日中天的摩托罗拉以及 AMD,以及享有盛誉的美国三大国家实验室:劳伦斯利弗莫尔实验室,劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室,投资两亿美元集合几百位顶级科学家,从理论上验证 EUV 可能存在的技术问题。

英特尔还力邀 ASML 和尼康加入 EUV LLC,因为当时美国光刻已经不太行了。但此举受到美国政府的阻挠,因为他们舍不得让外国公司分享美国最前沿技术。

最终结果是尼康被排除在外,ASML 做了一堆对美国贡献的许诺后被允许加入。另外一家例外的非美国公司是英飞凌,它被允许和 Micron 一起加入 EUV LLC。

我们回看当年各种跨越 193nm 的技术方案,很多公司是左右下注的,只有英特尔坚定地选了 EUV,而且让它最终成为了现实。

看当年的一些回忆录,说英特尔自己并未派出多少工程师,但是列了几百项难题一直拿着小鞭子督促那些科学家不停地努力。

EUV 算是软 X 光,穿透物体时散射吸收都非常厉害,这使得光刻机需要非常非常强的光源,这个难度是巨大的。连空气都能吸收 EUV,所以机器内部还得做成真空的。

传统光刻用的很多透镜因为会吸收 X 光要换成反射镜,据说 193nm 的最新光刻机里镜头加起来就有一吨重,而这些技术都用不上了。

由于光刻精度是几纳米,EUV 对光的集中度要求极高,相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射要求的镜子要求长 30cm 起伏不到 0.3nm,这相当于是北京到上海做根铁轨起伏不超过 1 毫米。

所以,EUV 不仅是顶级科学的研究,也是顶级精密制造的学问。

EUV 的小镜子由德国蔡司生产,ASML 还因此特地购买了 Carl Zeiss SMT 公司 24.5% 的股份。

1997 年 -2003 年,6 年间 EUV LLC 的科学家发表了几百篇论文,验证了 EUV 光刻机的可行性。然后 EUV LLC 联盟解散。

接下来留给 ASML 一个问题,是做还是不做呢?

好在 ASML 从来没有犹豫过。2006 年它推出原型,2007 年建造了 10000 平米的超级无尘室,等着接待 2010 年诞生的第一台研发用样机:NXE3100。

2012 年,ASML 请英特尔、三星和台积电入股自己,希望大家共同承担这个人类的伟大工程,因为研发投入需要每年 10 亿欧元。

2015 年,可量产的样机发布。虽然售价高达 1.2 亿美元一台,但还是收到雪片一样的订单。排队等交货,都要等好几年。

一台 EUV 光刻机重达 180 吨,超过 10 万个零件,需要 40 个集装箱运输,安装调试都要超过一年时间。

我们或许很快就能买到 EUV 加工出来的芯片做的手机了。

相信在未来,人类一定可以突破光学光刻机的极限,无论用电子、离子还是最终放弃硅基。在半导体制造中,光刻只是其中的一个环节,另外还有无数先进科技用于前后道工艺。

所以,科学的每一次进步都不会因为任何某个人、某个团体而改变,而一个人、一个团体也不可能把全部的事情都做好。现代世界更加讲究的是互利互惠,充分的利用每一样优势促进社会的发展和科学技术的进步。华为是有能力做光刻机,但是我想华为这个团体也会有他自己的考量。

以上是我个人的一些经验和总结,希望可以帮助到大家,如果有不同意见欢迎评论区留言讨论。


汇聚魔杖


光刻机和华为有啥关系?华为也不会研究这个玩意,首先华为没有相关领域的技术储备,在光刻机领域华为别说研发,也别说和国外的ASML公司比,就是和国内的上海微电子也没法比啊。因为它就不是干这一行的,首先华为的确是自研发了芯片,但是你要记住那是设计,也就是说我设计出了这个么个产品让你有光刻机的公司去给我制造下,比如台积电等这些厂子。华为还要去研发生产CPU芯片的机子?你以为华为要上天吗?光刻机设计的领域太多太广,可以说光刻机就是一个精密仪器,我国在光学精密仪器上面要落后很多的,即使是美国这么发达的国家也不是没有这样的厂子吗?为啥都要华为来造?华为的科技的确在近几年有所建树,但是这完全是两个领域。

其实光刻机这个东西原理并不复杂,如果不强调具体的工艺的话,如果那种多少毫米的制程技术真的没那么复杂,但是要控制器精度达到几纳米的精度上面那就不简单了。

关于光刻机的历史发展,那真就是复杂的不要不要的,也不过多赘述,

光刻机的基本原理就是在硅晶片表面涂光感胶,再用光线透过掩模版(相当于芯片电路图纸的底片)照射硅片表面,被光线照射到的光感胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射或者未被照射的胶,电路图就印到硅片上。

其中光源的产生,里面好N多组透镜,这些透镜的技术生产我国基本山是无法制造的,只有德国的蔡司活着日本的尼康等光学仪器公司才能够制造,这就是我国的单反相机为啥到现在也不行的原因。因为其制造成本太高,而对于高精度镜头的制造我们也没那个技术,光这个一个技术的突破要聚集多少行业专家,这不是一个华为能搞定的,如果华为连这个也搞,那么华为牌的单反相机和相关镜头也估计要有了。

就一个技术都需要这么大的难度更何况其他,另外,研发光刻机需要投入的资金量也是非常大的,一个企业想要搞这个方面的研发首先你得要有充足的自己储备,因为在研发的过程当中你是没有任何资金收益的,但是其耗费价钱是几何增长的。就说荷兰的ASML,为了筹集资金,同时也是进行上下游利益捆绑,研发风险共担,邀请英特尔、三星和台积电出资,做自己的大股东。ASML实际上是美、日、韩、德等共同投资的项目,资金充裕。

除以上技术壁垒之外,还有政策壁垒,《瓦森纳协定》这个协定就是专门针对我们制定的,为了防止尖端科学技术被中国搞走,对中国实行的技术封锁,因此除了要打破资金壁垒,还要打通政策环节,这个不是一个企业能够做到的,除非你能另辟蹊径做出完全自主知识产权的光刻机,但是这个难度更是超乎想象,因此还是从国家的层面上面能够多协调多努力,共同公关,打破现有僵局。


分享到:


相關文章: