近日，长鑫存储公布公司最新的DRAM技术路线图，称将采用19nm工艺生产4Gb和8Gb DDR4的计算机存储器，目标在2020年一季度实现商业化并投放市场，此外还将规划在明年底晶圆月产能达到12万片的基础上，继续计划再建两座DRAM晶圆厂，以应对我国未来几年对存储器快速增长的强劲需求。
历来，存储器作为芯片半导体行业的第一大细分领域，均是兵家必争之地，且随着接下来5G大流量时代的来临，下游包括消费电子、AI、物联网、车用自动驾驶等存储数据量的指数级增长需求，数据的爆炸式增长，将同步带动数据处理能力和数据存储量——对应DRAM、NAND Flash 需求的增长，也是未来半导体细分领域增速最快的市场。而我国作为全球做大的DRAM需求消费市场，占据了全球超60%以上的消费份额，而当前主流产品自给率却十分低下，国产安全自主化迫在眉睫。正是如此，国家近期来投入了大量资金到DRAM内存领域，引导长鑫存储和兆易创新等一批企业开始第一次切入了DRAM主流高端市场。
得益于近年来国内掀起的新一轮半导体产业投资热潮，在国家大基金全产业链的主导投资扶持下，我国凭借着市场、资本、人才、技术等产业环境的不断成熟，引导全球半导体产业第三次产业转移逐步迈向我国大陆，也为国内半导体产业迎来了全面发展的基础。
作为关乎国民经济和国家安全的战略性产业，供应链的自主可控势在必行，叠加新一代5G通讯科技的在我国快速发展，下游的爆发，正在为我国半导体行业带来巨大发展机遇。据赛迪智库预计，2019-2021年，国内 DRAM 市场将达到 2790、3345、4505 亿元，在去年年底行业下滑的大背景下，未来几年将迎来逆转，在存储器快速增长的需求驱动下，在未来几年会再度迎来强劲的增长。
市场普遍认为，我国作为全球最大的 DRAM 需求市场，继海力士减产、日韩争端后，当前存储器市场已出现供需回暖的迹象，同时随着明年全球5G商用的加速进行，下一阶段包括5G通讯、物联网设备、车用自动驾驶等存储数据量的增长需求，将带来数据爆炸式增长和对存储芯片的海量需求，且国内自主化替代成熟北京下，将为我国存储芯片迎来一片新的蓝海市场。在一二期大基金的引导下，目前上下游IC设计、制造、封测等全产业链企业已陆续取得进展，国产化替代进程有望进一步加速，预计相关企业将持续受益，具体可关注：
兆易创新（603986）：公司是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司；从事存储器及相关芯片的集成电路设计，致力于各种高速和低功耗存储器的研究、开发及产业化。主要产品为Serial Flash及MCP，与合肥产投合作开发12英寸晶圆存储器 ；17亿收购上海思立微涉足传感器业务，近期公告将定增43亿用于DRAM 芯片研发及产业化项目;
北方华创（002371）：公司是北京国资委旗下的半导体设备生产商，承担着国产芯片制造设备国产化重任，是目前国内唯一一家具有8英寸立式扩散炉和清洗设备生产能力的公司。公司目前产品包括集成电路生产所必须的刻蚀机、薄膜机、清洗机、氧化炉以及生产光伏硅片的单晶炉，产品体系国内最全，是国产半导体设备龙头；
长电科技（600584）：公司是目前国内唯一一家具有RF-SIM卡封装技术的厂商，主营业务为集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的芯片设计、制造；为海内外客户提供涵盖封装设计、焊锡凸块、针探、组装、测试、配送等一整套半导体封装测试解决方案。半导体行业的景气回暖及国产替代趋势延续，将使得公司迎来基本面上行期，业绩迎来逆转。
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