为了解决晶圆尺寸不匹配和Micro-LED生产中的良率问题，ALLOS应用其独特的应变工程技术。基于该技术制作出的硅基氮化镓外延片具有非常好的均一性和稳定性，可用于200 mm尺寸晶圆的生产。此外，该公司还报告了其在300mm路线图上的积极进展。
据外媒Compound Semiconductor报道，如业内所知，良率问题一直都是Micro-LED显示器商业化的关键，它直接影响到制造的复杂性和成本。为了降低所需的成本，大尺寸晶圆制作是必不可少的，特别是将CMOS晶圆与Micro-LED外延片键合的方案。相较于传统较小晶圆尺寸的蓝宝石基氮化镓方案，这种方案对匹配晶圆的尺寸更为依赖。ALLOS团队已经通过其应变工程技术的使用进一步提升了芯片波长的均匀性。实际上，他们已经于2019年2月在Veeco的Propel产品上展示了200 mm的硅基氮化镓LED外延片，相应的标准差（STDEV）仅为0.6 nm。
根据最新的结果来看，ALLOS这种实现200 mm晶圆尺寸下STDEV小于1nm的技术方案已经拥有非常好的重复性。“与此同时，我们还达成了其他所有生产要求，例如Bow值（弯曲度，晶圆中心平面的凹凸变形量）小于40 µm，SEMI标准厚度725 µm。这些参数对于CMOS晶圆与Micro-LED外延片的键合非常重要，” ALLOS的共同创始人之一，亚历山大·洛辛（Alexander Loesing）补充说，“这些成果令人印象深刻，因为这显示在目前非常有限的时间和资源前提下，我们的技术团队一步一个脚印地推动了GaN技术的发展。”
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