- 要優化EMC 濾波器設計，瞭解干擾的類型很重要。我們還應該瞭解在某一頻段內哪一種類型的干擾占主導地位。我們可以將傳導發射分為差模噪聲(DM) 和共模噪聲(CM)。差模噪聲通常在1MHz 以下的低頻段占主導地位。在開關電源中，差模噪聲主要源於直流母線電容的等效串聯電阻（ESR）兩端的壓降。電壓降由紋波電流產生（例如有源功率因數校正器產生的紋波電流）。共模干擾(CM) 通常在1MHz 到100MHz 之間占主導地位。在這個頻段範圍內，必須要考慮寄生參數和耦合路徑。噪聲類型對於EMC 濾波器的設計會產生重大影響。如果獲知了干擾類型、寄生參數和耦合路徑，我們就可以開始設計濾波器。
下面，我們主要針對電源在實際調試中遇到的問題做進一步的解析，方便研發設計人員有針對性的調試電源。
傳導
150K附件超標，可以改變電感量，適當增大電源工作頻率，在變壓器第二層加屏蔽層，有效果，且可以減小諧波電流。
1MHz以內以差模干擾為主
1.增大X電容量；
2.添加差模電感；
3.小功率電源可採用PI型濾波器處理
1MHz~5MHz差模共模混合
採用輸入端並聯一系列X電容來濾除差摸干擾並分析出是哪種干擾超標並以解決，
1.對於差模干擾超標可調整X電容量，添加差模電感器，調差模電感量;
2.對於共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制；
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。
4.5M附近，隔離驅動調整RCD鉗位電路參數，電容電阻，或者二極管用慢管M7，也可採用在輸出端接磁環，試下不同圈數的磁環效果。
5M以上以共摸干擾為主，採用抑制共摸的方法。
對於外殼接地的，在地線上用一個磁環串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環。
處理後端輸出整流管的吸收電路和初級大電路並聯電容的大小。
20~30MHz
1.對於一類產品可以採用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2.調整一二次側間的Y1電容位置及參數值；
3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最裡層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCBLAYOUT；
5.輸出線前面接一個雙線並繞的小共模電感；
6.在20M附近調試時，可在輸出整流管兩端並聯RC濾波器且調整合理的參數；
7.在變壓器與MOSFET之間加BeadCORE；
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
9.可以用增大MOS驅動電阻。
輻射：
30~50MHz 普遍是MOS管高速開通關斷引起
1.可以用增大MOS驅動電阻；
2.RCD緩衝電路採用1N4007慢管；
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；
4.或者輸出線前端串接一個雙線並繞的小共模電感；
5.在MOSFET的D-S腳並聯一個小吸收電路；
6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環儘可能的小；
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環儘可能的小。
50~100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.調整輸出整流管的吸收電路參數；
3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEADCORE或串接適當的電阻；
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
這裡說一個實例：有些驅動電源因為有防水要求，設計的時候需要A/B膠灌封。這類膠往往對傳導和輻射有很大影響，特別是輻射。大家要特別注意。有些電源往往是灌膠前EMC效果很好，但是灌膠後，效果特別差了。但如果又沒有辦法搞定，且又急需送樣，小編在這裡教大家一個方法：可以用熱縮套管、三防漆或者套套也可以，包裹住驅動，將驅動和A/B灌封膠完全隔離開，就不會影響到EMC性能了，且外觀上看起來，還是灌膠後的樣子和防水效果。
閱讀更多 橘子文化 的文章
