光刻機是芯片製造的重要設備，內部結構精密複雜，它決定著芯片的製程工藝，目前全球99%使用的都是荷蘭ASML公司製造的設備，價格高不說，而且有錢也未必能買到，令芯片生產企業很被動，所以國內企業也在研究光刻機。
上海微電子設備公司已生產出90納米的光刻機設備，這也是生產國產光刻機的最高技術水平，比ASML公司差不多有10年的差距。國產光刻機發展緩慢，上海微電子克服困難自己生產這些零部件，目前生產出來的光刻設備已用到很多的國產企業中，相信不久就可以向45nm、28nm邁進。
中科院光電所研發出365納米波長，曝光分辨率達到22納米的光刻機，是近紫外的光線，離極紫外還有一點差距。光刻機的波長決定了芯片工藝的大小，波長越短，造價越高。像ASML最先進的EUV極紫外光刻機，波長只有13.5納米，可以生產10nm、7nm的芯片。
現在一般使用的是193納米波長的光刻機，分辨率卻只有38納米，而中科院研發的光刻機採用了雙重曝光的技術，可以達到22納米，不過相關專業人士也指出，這種技術只能做短週期的點線光刻，無法滿足芯片的複雜圖形，後續還在不斷優化和改進中。
一個小小的芯片，卻包含著很多複雜的工藝，我國芯片主要依賴進口，主要原因還是光刻機設備、技術、人才缺乏所造成的，發展光刻機設備不是一朝一夕就能完成，長期的投入和發展才能看到成績。
中國光刻機的差距
中科院曾表示：中國光刻機技術至少落後ASML15年。
目前中國只能生產出90納米的光刻機設備，這也是生產國產光刻機的最高技術水平，比ASML公司差不多有15年的差距。國產光刻機發展緩慢，克服困難自己生產這些零部件，目前生產出來的光刻設備已用到很多的國產企業中。
中科院光電所研發出365納米波長，曝光分辨率達到22納米的光刻機，是近紫外的光線，離極紫外還有一點差距。光刻機的波長決定了芯片工藝的大小，波長越短，造價越高。像ASML最先進的EUV極紫外光刻機，波長只有13.5納米，可以生產10nm、7nm的芯片。圖文來自網絡傳播正能量科普之目的版權屬於原作者如侵犯您合法權益請聯繫刪除謝謝。
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