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【未来会不会有3nm，1nm芯片？我们会不会打破1nm工艺制程的禁锢】
中芯国际目前并没有拿到花费2.2亿美元订购的7nm EUV光刻机。但是，我们也知道中芯的N＋1技术，已经非常接近7nm工艺。这对于我们来说无疑是一剂强心针，我们知道，已经实现量产FinFET 14nm工艺芯片，并且在最近还为华为麒麟710A处理器进行了代工。
当我们也知道，中芯已经在打造N＋1，N＋2方案，中芯国际联席CEO梁孟松透露，N+1工艺和14nm相比性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积减少55%。这就说明，中芯已经在绕过7nm 光刻机的一些壁垒，再打造属于自己的7nm工艺。
当然我们必须要知道的是，光刻机方面的缺失，确实远远制约着我们在芯片技术方面的发展。目前三星，台积电都在不断的挑战摩尔定律，除了在2020年下半年量产5nm工艺，而3nm和2nm技术已经定于2022年和2024年推出，而1nm工艺也在不断研发过程。
确实，finFET能力已经需要被新的技术替代，而下一代晶体管纳米片FET出现，给这种突破nm限制，带来了可能。纳米片FET是finFET的扩展。它的侧面是finFET，栅极包裹着它。纳米片的出现，将会使用在在3nm处，并可能延伸至2nm甚至1nm。
确实对于1nm等更极限的探知，非常的困难。而在我们目前缺乏光刻机的前提下，似乎给这种困难带来了雪上加霜。
有消息称，中科院制造出2纳米芯片，这一个级别的芯片全称为垂直纳米环珊晶体管，实际上就是硅-石墨烯-锗基片。如果消失属实的话，我们可能打破荷兰ASML公司光科技的专利，走出一条不一样的路。
我并不认为我们没有打破1nm工艺束缚的可能，而我们现在要做的是，能够光刻机技术的需求下，打破荷兰ASML的束缚。中国有太多的公司，有这样的可能，而我们也期待这样的公司，满足我们这种期盼。
LeoGo科技
目前，芯片制程玩家三足鼎立：英特尔、三星、台积电。从市场份额，技术成熟度来看，台积电领先。根据台积电的规划“3nm年后量产、2nm进展顺利，1nm遥遥无期”，那1nm之后又是什么呢？下文具体说一说。
什么是制程工艺？
简单回顾一下晶体管的结构，如下图所示。晶体管的工作原理很简单，通电1断电0，实现了计算机的运算。Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制Drain(漏极）和Source（源极）的通断。栅极（Gate）的宽度决定了电流通过的损耗，表现出来就是手机的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低，栅极的最小宽度，就是我们所说的XXnm工艺的数值。
原子的大小大约为0.1nm，10nm的工艺要保证一条线上只有不到100个原子，一个原子出现了问题，整个产品就报废了，产品的良品率大打折扣。
芯片制程工艺演进？
目前，最先进的芯片制程工艺是台积电的7nm EUV，苹果的A13处理器、华为的麒麟990 5G处理器、高通骁龙865处理器都采用了台积电的额7nm EUV工艺。
6nm制程将会在年底量产，比7nm加强版多了1层EUV（极紫外光刻）光罩层。
5nm已经准备好了量产，相比前辈们，5nm制程增加了更多了EUV光罩层。预计华为的麒麟1020处理器、苹果的A14、高通的骁龙875芯片，将会采用台积电的5nm制程工艺。
3nm制程工艺，将会在明年试产，2022年下半年实现量产。2nm技术预计2024年左右推出，而1nm及其更先进的制程工艺仍然在研发中，距离商用遥遥无期，下图显示了制程工艺的技术路线。
2nm、1nm工艺
目前，7nm、5nm制程工艺，采用了Co作为MOL布线材料，以及EUV光刻，是进一步改进的FinFET结构，finFET能力已经探底。
4nm、3nm工艺开始，FinFET结构将会被GAA结构取代，第一代GAA采用了硅纳米片，采用Ru作为布线材料。
2nm工艺，将会采用Forksheet结构。
1nm工艺，将会采用CFET结构，技术细节暂时未知，下图显示了芯片结构工艺的演进。
总之，半导体工艺正在有序推进，今年年底量产5nm，2022年量产3nm，2024年推出2nm，至于1nm仍然遥遥无期，1nm是当前半导体工艺的光锥和视界，没有人知道1nm之后半导体行业会发生什么。也许未来是量子计算、生物计算等等。
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Geek视界
你好，我来谈下我的看法。
芯片是什么及作用
芯片其实就是一个集成电路。芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，芯片组是主板的灵魂。
芯片制作材料及物理极限
目前芯片的制作大多都是选择硅材料，目前最顶级的就是7nm规格的。厂商大费功夫的减小规格，缩小了晶体管的面积和功耗，也减小了成本开支。但是这个规格的芯片出现了漏电现象，漏电现象的产生也增加了功耗，各大厂商想尽办法去解决漏电问题，或者说是降低漏电风险。目前芯片规格一旦低于7nm就会出现新的问题，所以目前来说，或者是一定时间内来说，7nm是芯片制造的物理极限。
芯片制造新的展望
据了解，美国劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，其晶体管就是由碳纳米管掺杂二硫化钼制作而成。不过这一技术成果仅仅处于实验室技术突破的阶段，目前还没有商业化量产的能力。所以这也只是个期待，具体能否商业化大规模量产，还是需要时间的。
我国的芯片制造能力
我国的芯片产业能力还是比较落的，芯片制造它涉及到的工艺的精密，复杂程度还是远超传统制造的。中国芯片制造厂，80%的装备都是从外国进口的。全球芯片制造领域装备主要来自美国和日本两个国家。另外芯片制造所花费的材料我们也大量依赖进口。有一种材料叫光刻胶需要全部进口。目前我国的半导体材料产业总体规模很小，技术水平也比较低，国产材料的销售规模在这个领域，占不到全球的5%。这个着实和发达国家有比较大的差距。期待国产芯片能够很好的发展，掌握自己的技术！
综上，7nm还会是主流规格，科技的进步也需要时间的，越先进的技术难度系数越大，1nm需要很大的一段时间，或许不会实现。还会希望可以帮到你！
