【手機中國新聞】11月13日，面對中國半導體企業的競爭，韓國半導體行業試圖通過技術升級來與中國甩開差距。其中韓國半導體行業的兩大巨頭三星電子和SK海力士已經開始量產世界頂級技術的存儲芯片。
SK海力士
11月12日SK海力士表示，研發出了應用第二代10納米級(1y)微加工技術的8GB DDR4 DRAM。比起第一代技術，在生產效率上提高了20%，耗電減低了15%，數據傳輸與交換的信號量提升至前一代的兩倍。三星電子方面從去年11月開始批量生產技術水平相仿的DRAM，今年7月已經能夠量產第二代10納米級(1y)微加工技術的16GB手機用DRAM。
目前韓國半導體繁榮產生，半導體出口額佔總出口額的比重越來越高。對於韓國半導體行業來說，面臨的最大威脅便是中國的猛烈追擊。業界普遍認為，目前中國存儲芯片的技術水平比韓國落後3-5年。
SK海力士
現在中國YMTC宣佈將在明年批量生產的半導體屬於32層3D Nand閃存，這是三星電子和SK海力士從2014年開始批量生產的產品。目前三星和海力士生產的主力產品是64-72層3D Nand閃存，現在三星電子已經開始引進生產10納米級以下新一代DRAM的極紫外光刻(EUV)生產線，SK海力士也將在年底開始量產96層4D Nand閃存半導體。
但是中國的半導體追擊依然是引發需求激增的半導體行業出現“價格觸頂”爭議的主要原因。正因如此，韓國半導體行業一致認為，中國的技術發展速度對韓國半導體行業產生了巨大威脅。
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