力挺摩爾定律,英特爾開發出3D堆疊技術

力挺摩爾定律,英特爾開發出3D堆疊技術

Foveros可用於開發高性能、高密度和低功耗的3D堆疊芯片。

半個世紀前,英特爾創始人之一戈登·摩爾提出“摩爾定律”(Moore's Law),從這以後,芯片廠商們多遵從這一定律生產芯片。而近年來,“摩爾定律”被其他廠商唱衰,本該是芯片“鼻祖”的英特爾也在技術上漸漸落後於競爭對手。在此次的架構日,英特爾展示了他們的眾多下一代技術和已經做出的創新,其中就包括業界首個3D堆疊邏輯芯片。

據媒體報道,12月11日,英特爾召開架構溝通會。會上,英特爾向參會者介紹了其基於10nm的PC、數據中心和網絡系統,並分享了其在處理器、架構、存儲、互連、安全和軟件等六個工程領域的技術戰略。其中,熱度最高的莫過於新開發的首個3D封裝架構“Foveros”,它可以說是英特爾面對其他從業者質疑“摩爾定律”的最好回應。

近年來多次出現“摩爾芯片唱衰論”。用很小的體積做到高性能,是現在芯片技術的主要方向,但是又要小,又要做到性能高,廠商們若再運用“摩爾定律”製造芯片,無疑難度很大。如今製作芯片的困難主要來自於材料上,當芯片製程達到10nm時,柵氧化層的厚度變薄,會產生諸多量子效應,晶體管很容易漏電。當其他廠商接連研製出10nm、7nm製程的芯片時,一直使用“摩爾定律”的英特爾反而把本該在今年7月份就宣佈發佈的10nm製程工藝推遲到了明年年末。

而此次推出的Foveros技術則是對“摩爾定律”的延續。英特爾表示,Foveros可以做到將計算電路堆疊,並快速地將它們連接到一起,從而將更多的計算電路組裝到單個芯片上,實現高性能、高密度和低功耗。

2019年下半年,英特爾將開始使用Foveros推出一系列產品,其首款產品將結合高性能10nm計算堆疊小芯片和低功耗22FFL基礎芯片。

英特爾芯片架構主管拉賈·科杜裡(Raja Kosuri)表示,他們在這20年裡,一直研究這項技術。堆疊以前曾在內存芯片中使用,但英特爾是第一家將該技術應用到所謂的“邏輯”芯片中的公司。

“落後”的英特爾,這次要走在前面了。


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