國內公司衝擊最尖端半導體工藝 10

國內最大的晶圓代工廠中芯國際今天下午發佈Q1季度財報,營收6.7億美元,同比下滑19.5%,淨利潤1227萬美元,同比下滑58%,不過中芯國際表示FinFET工藝研發進展順利,12nm工藝進入客戶導入階段,下一代FinFET工藝研發進度喜人——雖然沒有明確下一代工藝具體是什麼,但中芯國際的表態意味著國產10nm或者7nm工藝研發進度還是很不錯的。


國內公司衝擊最尖端半導體工藝 10/7nm進度喜人


在半導體制造工藝上,國內量產的最先進工藝還是28nm,與臺積電/三星量產的7nm差了至少兩三代。不過國內廠商面臨的一個機遇是摩爾定律逐漸失效,10nm及以下工藝面臨瓶頸,給了國產半導體廠商追趕的機會。不過在晶圓代工市場上,國內最大的公司是中芯國際,其與全球第一大半導體代工廠臺積電的差距還是很大的,營收規模只有後者的十分之一左右。

中芯國際今天下午發佈了2019年Q1季度財報,當季營收6.7億美元,環比下滑15.1%,同比下滑19.5%,毛利潤1.22億美元,環比下滑16.3%,同比下滑44.6%,歸屬於股東的淨利潤1227萬美元,環比下滑53.7%,同比下滑58.2%,不過算上非控制權益的話,當季淨利潤2438萬元,環比增長了124%,同比下滑了10%。

與市場預期鉅虧4400多萬美元相比,中芯國際Q1季度的表現要好於預期。

此外,中芯國際聯席CEO趙海軍、梁孟松也分別針對運營及技術發表了看法。“過去兩年以來,公司處於調整期。透過優化和改革,提升內在實力,研發顯著提速。我們積蓄的能量和競爭力,將加速我們接下來追趕產業發展新趨勢的步伐,迎合宏觀市場機會的到來,有望走出調整期,加速我們的成長。”

中芯國際聯席首席執行官,趙海軍說:“我們看到一季度為今年營收低谷,產業庫存週期調整結束,中芯努力耕耘的新成熟工藝平臺也準備就緒,模擬與電源管理芯片,CMOS 射頻與物聯網芯片等新應用帶動業績成長。二季度收入預計環比上升17%至19%。”

中芯國際聯席首席執行官,梁孟松說:“FinFET 研發進展順利,12nm 工藝開發進入客戶導入階段,下一代 FinFET 研發在過去積累的基礎上進度喜人。上海中芯南方 FinFET 工廠順利建造完成,開始進入產能布建。我們將為快速契合客戶的技術遷移做好準備,以面對日新月異的行業環境。”

值得注意就是梁孟松公佈的國產半導體制造工藝的進步,12nm工藝也進入了客戶導入階段,另外新一代FinFET工藝研發進度喜人,看起來進展很順利。儘管中芯國際沒有明確新一代FinFET工藝具體是什麼,但此前中芯國際在28nm到14nm節點中跳過了20nm工藝,在14nm到未來工藝中應該也會跳過10nm工藝,因為後者並非高性能工藝,7nm FinFET工藝才是下一代的重點工藝,而此前他們也斥巨資購買了ASML的EUV光刻機研發7nm工藝。

即便中芯國際不跳過10nm FinFET工藝,這也意味著國產的10nm FinFET工藝進展良好,這依然是最頂尖的製造工藝之一。


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