過去，中國在許多領域的核心技術一直被西方"封鎖"。但是現在，經過多年的不懈努力，中國已經克服了許多方面的困難。例如，我們所熟悉的光刻機就是一個典型的例子。
眾所周知，光刻機是製造集成電路的核心設備。換句話說，每一個芯片在誕生之初都是由光刻機鍛造而成，所以光刻機的精度直接決定了芯片性能的上限。然而，芯片在中國的發展一直很緩慢，因為荷蘭公司阿斯麥(ASML)壟斷了高精度光刻機，而且曾被禁止在中國銷售。
因此，中國研究人員決定挑戰這種"卡脖子"裝置。經過長時間的克服困難，他們終於得到了一些東西。最近，有報道稱他們找到了另一種方法來製造9納米的光刻原型。你知道,去年11月,我們通過了驗收的"超級分辨率光刻設備開發",只有10納米的分辨率,現在我們已經達到9納米級別,相信在未來7納米以下技術節點目標會越來越近,到時候別人再想卡我們脖子難了。
值得一提的是，中國研究者開發的9納米光刻實驗樣機是在沒有任何參考技術的情況下，以一種全新的方式開發的。光刻技術不同於主流的光刻機。
例如，目前主流的光刻機通過不斷降低光刻波長來作用於光致抗蝕劑上，但這次採用的是遠場光學方法，突破了光致抗蝕劑使用兩束激光衍射的極限，而光刻的最小寬度為9納米。因此，無論從哪個角度看，這都是一次重大的創新。
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