華為入場IGBT 國內一芯難求 全球年複合增長率達到了9.8%
工信部10月8日在官網發佈《關於政協十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答覆的函》，稱下一步將持續推進國內工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模組產業發展。IGBT產業鏈包括IDM、設計、製造、模組等，本文主要介紹國內主要的IGBT產業鏈企業。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)，是能源變換與傳輸的核心器件。採用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵技術。IGBT約佔電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統佔整車成本的15-20%，也就是說，IGBT佔整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。
數據顯示，2010年，全球IGBT市場規模僅為30.36億美元，到了2018年，增長到58.26億美元，年複合增長率達到了9.8%。而在各大市場中，尤以中國市場的增速最快，高達18.2%。
這樣重要的功率器件，卻長期來基本被英飛凌、三菱、富士電機、仙童等國外巨頭壟斷全球市場。中國作為全球最大的IGBT需求市場，主要市場份額被歐美、日本企業所佔據，但是經過多年努力，目前已建立起完整的IGBT產業鏈。
華為也開始研發IGBT，目前正在從某國內領先的IBGT廠商中挖人。據瞭解，憑藉強大的技術優勢，華為早已成為UPS電源的領軍企業，佔據全球數據中心領域第一的市場份額，而IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件，也是華為UPS電源的核心器件。IGBT作為功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，近年來，隨著新能源汽車以及軌道交通等市場的崛起，市場規模與日俱增。
我國的IGBT廠商主要包含IDM廠商株洲中車時代電氣、深圳比亞迪、杭州士蘭微、吉林華微、中航微電子、中環股份等；模組廠商西安永電、西安愛帕克、威海新佳、江蘇宏微、嘉興斯達、南京銀茂、深圳比亞迪等；芯片設計廠商中科君芯、西安芯派、寧波達新、無錫同方微、無錫新潔能、山東科達等；芯片製造廠商華虹宏力、上海先進、深圳方正微、中芯國際、華潤上華等。
目前上市公司中，比亞迪、臺基股份、士蘭微、中車時代電氣、揚傑科技、同方股份、中芯國際等公司均有涉足IGBT產業鏈。其中比亞迪已成為中國銷售額前三的IGBT供應商，累計申請IGBT相關專利約180件，其中授權專利約114件。
相關上市公司介紹
IDM
比亞迪微電子
2003年，比亞迪成立深圳比亞迪微電子有限公司，致力於集成電路及功率器件的開發並提供產品應用的整套解決方案，其IGBT的研發製造主要由比亞迪微電子負責。2005年，比亞迪正式組建IGBT研發團隊，並於2007年建立IGBT模塊生產線，完成首款電動汽車IGBT模塊樣品組裝。
目前，比亞迪已相繼掌握IGBT芯片設計和製造、模組設計和製造、大功率器件測試應用平臺、電源及電控等環節，擁有IGBT完整產業鏈。
華微電子（600360）
吉林華微電子股份有限公司成立於1999年，集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體，華微電子作為國內的功率半導體行業的龍頭，一直有著穩定 的市場份額，公司的 MOSFET 系列和快恢復二極管在國內有很強的 競爭力，目前公司正在進行產能轉化，把部分 4 英寸生產線改為 5 英 寸和 6 英寸生產線，以生產高端功率器件，當前公司已具備年產 4 英寸芯片 8 萬片/月、5 英寸芯片 13 萬片/月、6 英寸芯片 6.5 萬片/ 月的芯片生產能力。
2019 年華微電子投資 11.32 億元用於新型電力電子器件基地 建設，新項目主要為建設 6 英寸生產線和 8 英寸生產線，主要生產 IGBT、低壓 TRENCH-MOS 、超結 MOS 以及與公司主流產品配套 的 IC 芯片，預計項目完成後可以帶來 9.18 億元/年的收入，以及 1.9 億元/年的稅後收益，項目回報較大。
士蘭微（600460）
杭州士蘭微電子股份有限公司成立於1997年，從集成電路芯片設計業務開始，逐步搭建了特色工藝的芯片製造平臺，並已將技術和製造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領域，建立了較為完善的IDM經營模式。
上半年 8 寸產線芯片產銷量同比增長 74.25%，並已建成 BCD 工藝平臺， 產品結構方面多品種 MOS 管、SBD、大功率 IGBT 已導入量產。8 寸相對 6 寸更具成本優勢，隨著產出的進一步增加，產線前期建設的固定成本將被 更好的覆蓋。公司與集成電路大基金已啟動 8 寸產線二期的建設，總投資 15 億元，週期 5 年，建成後公司 8 英寸產能將增長超過一倍達到年產 73 萬片。8 寸和 12 寸產線的陸續建設為公司長期發展打下堅實的基礎。
揚傑科技（300373）
揚州揚傑電子科技股份有限公司成立於2006年8月，公司集研發、生產、銷售於一體,專業致力於功率半導體芯片及器件製造、集成電路封裝測試等高端領域的產業發展。公司主營產品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產品、SGTMOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,產品廣泛應用於消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領域。
公司採用垂直整合 IDM（原材料硅片+芯片設計+晶圓製造+高端封 裝+品牌銷售）的經營模式，是 A 股稀缺的優質公司。公司實行 從技術到品牌佈局的縱向一體化戰略，集芯片設計製造、器件封 裝測試、終端銷售與服務等於一體，發展芯片、二極管、整流 橋、電力電子模塊等功率半導體高端領域。2018 年公司在中國半 導體功率器件十強中名列前茅，是國內功率半導體領域傑出企 業。
公司沿著建設硅基 4 寸、6 寸、8 寸晶圓工廠和佈局對應的二 極管、MOSFET、IGBT 產品路徑，並行碳化硅基同類晶圓和封裝 產線建設，步步為營，有序推進。行業景氣度持續提升，自 2017 年下半年以來功率半導體廠商紛紛調價，公告指出，18 年 3 月份公司控股一條位於宜興的 6 寸晶圓線，產品以 MOSFET 為主，同時可以小批量生產 IGBT 芯片，公司將依託新產品的 突破拓展新的下游應用領域。公司現有產線都對照汽車電子標 準建線，應用領域拓展仍值得期待。
臺基股份（300046）
湖北臺基半導體股份有限公司成立於2004年，是國內大功率半導體器件領域為數不多的掌握前道（擴散）技術、中道（芯片製成）技術、後道（封裝測試）技術，並掌握大功率半導體器件設計、製造核心技術並形成規模化生產的企業。
臺基股份的主營產品為功率晶閘管、整流管、IGBT 模塊、電力半導體模塊等功率半導體器件，其早於5年前開始了IGBT模塊的研發，目前基本具備IGBT設計、封裝測試的能力。
今年8月份披露定增，定增項目包括 IGBT 模塊封測線（兼容 SiC 等第三代寬禁帶半導體功率器 件）、高功率半導體脈衝功率開關生產線、晶圓線擴建項目（配合固態脈衝 開關）和新型高功率半導研發和營銷中心項目。公司預計項目達產後年均 營收為 7.98 億元，年均稅後利潤為 1.44 億元。
國電南瑞
10月17日，國電南瑞發佈公告，擬與國網下屬科研單位全球能源互聯網研究院有限公司共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限公司，國電南瑞以“IGBT模塊產業化項目”部分募資5.59億元出資，佔比69.8%。
國電南端表示，IGBT是國家產業政策重點支持發展的功率半導體器件，技術難度大、研發及產線建設週期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業壟斷，目前國內高端人才缺乏，國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研製業務。
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