持股比例53.79%的子公司海威華芯是由公司和中電科29所共同打造的集工藝開發、器件模型製造於一體的第二代/第三代化合物半導體 集成電路領域的開放平臺，射頻、光電、電力電子等都屬於公司重點發展的業務領域。公司的產線設計一定程度為了滿足股東層面更高性能指標的要求，工藝設定直指領先技術。
海威華芯是氮化鎵芯片專利技術的第一梯隊，專利總數達249項，其中過半數是發明專利，已完成多項工藝路線的技術開發工作，包括砷化鎵、氮化鎵和磷化銦工藝，其次在以市場為導向下，公司已開發5G中頻段小於6GHz的基站用氮化鎵工藝、砷化鎵PPA15、PED25及硅基氮化鎵功率器件，發佈了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝，三吋和六吋砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵製造工藝也在2019年取得較大的進展。
公司目前已建成國內首條6吋化合物半導體商用生產線，實現了核心高端芯片自主可控及國產化替代，完成了包括砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)及磷化銦在內的6項工藝產品的開發。產能方面，當前公司砷化鎵晶圓規劃產能2000片/月，氮化鎵規劃產能600片/月
海威華芯2018年已完成技術工藝開發,2019年是關鍵重要的一年,重點是完成工藝產品化和市場化,特種裝備產品和民品實現同步發展。特種裝備產品業務上,主要有兩個方向,在橫向上,拓展了一百多個客戶,已有60多個固化客戶,包括航空航天、通信等核心主流客戶,海威華芯是先專用後民用的發展過程,2019年科裝產品業務佔比過半,對公司產品技術能力奠定了雄厚基礎,縱向上也取得巨大突破,在裝備部門的支持下,2019年取得18個科裝產品的定向項目,排名靠前,預計將在半年到兩年時間內完成科研任務並全部轉化成量產,成為裝備部門定型項目。在科裝產品上,對集成度要求高,公司是芯片製造工廠,主做晶圓製造,2019年取得重大進步,尤其是在航空平臺上很多重要項目都取得了重大突破;在民品上,關注點主要放在消費類市場。
公司開發的有6類工藝,可以擴展到幾十、上百產品,但公司聚焦於5G等門檻較高且對化合物半導體行業具有牽引作用的方向上,如在5G宏基站的射頻GaN,已通過可靠性驗證,是一個重大突破,在流片工藝上,已可實現代工製造;第二個突破是砷化鎵0.15毫米工藝,為毫米波(30-40GHz)的核心工藝,在2019年3月份巴塞羅那世界通訊大會上完成發佈;第三個突破是硅基氮化鎵功率電子方面,未來最重要的兩個方向是硅基氮化鎵及碳化硅技術,是國內領先進行硅基氮化鎵量產公司;第四個突破是光電VCSEL,在2018年已完成3吋VCSEL開發,2019年實現國內第一條6吋VCSEL,發光效率、良品率都很高,在不斷改進優化的過程中,良品率提升很快。由於在這幾個技術方面向上的突破,去年很多項目都已做到規模化,比如光纖通訊及硅基氮化鎵,科裝產品和民品2019年實現了億級訂單。
2019年海威華芯主要目標是解決了工藝產品化及產品市場化,同時最重要的還有產線能力保障提升,已於去年年底完成國家發改委重點項目驗收。公司主要關注點還是整體團隊的建設,因技術工藝高度依賴設備及人員,通過梳理團隊架構,以保證未來大規模量產。公司對2020年充滿信心,在1月份就已經拿到全年指定任務20%的訂單,且只是科裝產品,所以2020年最重要的就是解決提高產能利用率問題、科研提速及投片率提升,其次是市場突破,要將2019年鋪墊的產品的市場前景做好,公司2020年1季度將會有2個產品取得重大突破。
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