海特高新:公司在3月底發佈了5G基站用氮化鎵製造技術

同花順(300033)金融研究中心4月8日訊,有投資者向海特高新(002023)提問, 萬總您好!請問今年5G基站GaN-On-SiC射頻芯片量產能否取得較大進展?運行商是否仍難於接受該芯片較高的成本?謝謝!

公司回答表示,公司在3月底發佈了5G基站用氮化鎵製造技術。設備製造商從4G基站開始就在採用氮化鎵功放來替代硅基LDMOS功放。


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