外媒報道，關於5nm芯片工藝的發展有了新的進展，其晶體結構側視圖曾在一篇論文中披露。根據專業機構分析預測，
臺積電5nm的柵極間距為48nm，金屬間距則是30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度約為180nm，按照這個計算，臺積電5nm的晶體管密度將是每平方毫米1.713億個。
目前尚未公佈5nm工藝的具體指標，只知道採用的是大規模集成EUV極紫外光刻技術。臺積電已在本月開始5nm工藝的試產，第二季度內投入規模量產，蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它，而且消息稱初期產能已經被客戶完全包圓，特別是蘋果佔了最大頭。
而對比7nm工藝的每平方毫米9120萬個，5nm工藝晶體管密度得到大幅度提升，每平方毫米1.713億個足足提升了88%，比當初臺積電宣傳的理論提升84%還要強上一些。
當然，這目前也只是根據一些資料進行的分析和評估，最後還得看批量成品表現究竟怎麼樣。
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