海特高新:公司已經研發出0.25um GaN、0.5um GaN的技術以及硅基氮化鎵技術

同花順(300033)金融研究中心4月8日訊,有投資者向海特高新(002023)提問, 下一代以SiC、GaN器件為代表的寬禁帶功率半導體器件的應用前景廣泛,國產替代前景大,公司是否有相關技術和合作;公司的相關器件在新能源產業方面能否存在應用空間;海威華芯與股東二十九研究所關聯交易大的問題,是否是公司毛利率較低的原因。

公司回答表示,SiC、GaN器件為代表的寬禁帶功率半導體器件的應用前景廣泛,包括射頻和電力電子方向(新能源產業),公司積極投入了GaN技術的研發,並已經研發出0.25um GaN、0.5um GaN的技術以及硅基氮化鎵技術。


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