與非網 4 月 23 日訊，近日，臺積電發佈在 2019 年年報中表示，5nm 已經進入量產，針對 3nm 技術的開發，EUV微影技術展現優異的光學能力與符合預期的芯片良率。同時，2nm(N2)今年還會加快研發速度。
據悉，今年臺積電將在 N2 及更先進製程上將著重於改善 EUV 技術的質量與成本。對於 3nm、2nm 這些更先進的製程工藝，技術挑戰還是次要的，最關鍵的是成本，因為隨著半導體工藝的演進，不但臺積電、三星這些代工廠需要投入動輒數百億美元的資金用於研發、建廠，芯片設計公司也必須跟著燒錢，一方面是芯片設計難度的急劇增加，另一方面也要幫助代工廠均攤成本。
有數據顯示，7nm 工藝芯片的研發需要至少 3 億美元的投資，5nm 工藝上平均要 5.42 億美元，3nm、2nm 工藝還沒數據，但起步 10 億美元是沒跑了，至少 2nm 工藝不會低於這個數。
另外，臺積電看好整合型扇出（InFO）等先進封裝保持強勁成長，今年投入包括系統整合芯片（SoIC）等 3D 先進封裝技術開發，以提供業界系統級解決方案。
臺積電董事長劉德音及總裁魏哲家在年報中也聯名發佈致股東報告書，提及臺積電去年達成許多里程碑，儘管面臨國際間貿易緊張局勢所帶來業務上的逆風，年度營收依舊連續 10 年創下紀錄。 臺積電去年提供 272 種不同的製程技術併為 499 個客戶生產 10,761 種不同產品，在晶圓代工市場佔有率提升至 52％。
