三極管飽和

三極管飽和

內容簡介

1、三極管飽和

2、飽和時基極電流

3、三極管注意性能

一、三極管飽和
1、根據Ib*β=V/R算出的Ib值作為判斷臨界飽和，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和，倍數越大，飽和程度就越深；
2、集電極電阻 越大越容易飽和;
3、飽和區的現象就是：二個PN結均正偏，Ic不受Ib控制

二、飽和時基極電流

1、該值應不固定，和集電極負載、β值有關

2、估算假定負載電阻是1K，VCC是5V，飽和時電阻通過電流最大也就是5mA，用除以該管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那麼基極電流大於50μA即可飽和;

3、對於硅管三極管,C-E極R(C-E間總電阻),Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著Ib↑-Vce↓,

當Vce<0.6V>

4、注意：在Ic↑-hFE↓,因此應讓三極管進入深度飽和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，這會犧牲關斷速度;
5、一般判斷飽和的直接依據還是放大倍數，有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和，Ic/Ib<1應屬於深飽和;

6、Ic = (V-Vce)/R在晶體管的輸出特性曲線圖上為靜態負載線，各個基極電流Ib值的曲線與負載線的交點就是該晶體管在不同基極電流下工作點;

7、曲線綠色段是線性放大區，Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升，紅色段就幾乎變成水平了，這就是飽和;

8、在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件，圖中可見該值約為0.25mA;
9、根據Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和;

三、三極管注意性能

1、耐壓
2、負載電流
3、速度

4、B極控制電流
5、功率
6、漏電流問題(能否完全截止)