數據顯示，在存儲芯片領域，中國芯片佔有率竟然為0。全球DRAM、NAND存儲芯片基本由美日韓企業壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭大賺特賺。目前，中企開始在存儲芯片領域發力，三家企業分別為投入NANDFlash市場的長江存儲、專注於移動存儲芯片DRAM的合肥長鑫以及致力於普通存儲芯片的福建晉華。
長江存儲"首提"荷蘭14nm光刻機
長江存儲
2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設，其中包括3座全球單座潔淨面積最大的3DNANDFlashFAB廠房。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3DNAND閃存芯片。
合肥長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目
合肥長鑫
2018年4月，據媒體報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地所需的300臺研發設備已基本全部到位，待裝機完成之後，從2018下半年開始便全力投入試生產的環節。兆易創新與合肥產投簽署了合作協議，雙方合作開發19nm的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發。公司大舉招聘海力士、爾必達、華亞科等的員工組成研發隊伍。
最新消息顯示，王寧國在合肥集成電路重大項目發佈會上表示，2018年底就將開始生產8GbDDR4存儲器的工程樣品；2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。
福建晉華
福建晉華
另一存儲器製造基地福建晉華力爭在2018年7月開始遷入機臺設備，並於2018年第三季度一期項目開始投入生產。公司與臺灣聯華電子開展技術合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設12吋內存晶圓廠生產線，開發先進存儲器技術和製程工藝。
臺聯電與晉華曾簽署了技術合作協議，接受晉華委託並開發DRAM存儲器相關的製程技術，晉華則提供DRAM特用設備，開發成果由雙方共同擁有。
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