DIGITIMES Research观察，磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)在新兴非挥发存储器中发展较为成熟，2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%，2019~2020年以后，随GlobalFoundries、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商逐步投入嵌入式(embedded) MRAM生产，有助强化嵌入式MRAM技术发展，有利开拓多元需求及带动市场起飞。
在商品化方面，目前MRAM已发展到第三代，具有非挥发性、读写速度快、能耗低、制程仍有持续微缩空间等优点。就产品发展上，MRAM可分为独立式(stand-alone)及嵌入式两大类，目前独立式占MRAM市场规模达95%以上。
未来几年MRAM市场成长速度以嵌入式应用较为看好，主要想取代的产品是嵌入式Flash及SRAM，尤以替代前者较为优先。嵌入式Flash制程微缩已遇瓶颈，各厂商产品组合介于40nm~35μm，相对地，MRAM目前已可达到22nm，且未来制程微缩仍有许多发展空间，时间站在对MRAM有利的一方。
随着车用及物联网(IoT)芯片需求已朝40/28/22nm发展，未来边缘运算AI芯片也需更快速、耗电更低的嵌入式存储器，预期嵌入式MRAM今后市场成长速度将优于独立式MRAM，2023~2024年产值可望超越独立式MRAM。
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