IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。
IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。
功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。
根據其分別可支持的開關速度，BIPOLAR適用於中速開關，MOSFET則適用於高頻領域。
IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過這兩者的複合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。
儘管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。
【功率元器件的基本結構與特點】
MOSFETBIPOLAR
IGBT
基本結構
控制
柵極電壓
基極電流
柵極電壓
容許電流
✕
△
○
開關
○
✕
△
導通電阻
✕
△
○
MOSFET是指半導體元件的結構為Metal（金屬）- Oxide（半導體氧化物）- Semiconductor（半導體）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
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