一、市場回顧

1. DRAM和NAND供應趨緊

2019年Q2季度，持續低迷接近一年的存儲介質市場發生轉機：NAND和DRAM的單方面下跌趨勢逐漸企穩。Q3季度， 存儲介質的供需悄然逆轉，市場開始傳出NAND和DRAM供應緊張的消息，而時不時發生的東芝，三星等上游原廠停電，著火的新聞，更從情緒上助長業界對存儲介質重歸供應緊張的認知。

那DRAM和NAND供應趨緊的原因是什麼？

短期的原因有兩個：

• 1. 大型CSP客戶的IT支出恢復 。2019Q3北美互聯網五巨頭和國內BAT的IT基礎設施支出同/環比增長，國數據中心SSD需求的恢復增長，將供需壓力進一步傳導至上游存儲介質供應商。
• 2. 5G手機換機潮的預期。2020將是5G手機規模普及的元年，Apple，三星，華為等主要手機廠商都會全線切換到5G手機，同時手機存儲容量進一步翻倍提升。二者疊加，對NAND和DRAM的需求可能會急劇放大。

中長期邏輯同樣有兩個：

• 1. 5G + AI +IOT的數據增量。2019年5G建設提速，2020年5G生態將全面鋪開，帶來巨大數據增量，預計2022年達到77EB，海量數據催生相應數據存儲需求。
• 2. 工業互聯網的數據增量。2018年工信部推出企業上雲實施指南，企業上雲的數量和深度顯著提升，大量線下數據的部署上雲，同樣會催生海量的數據存儲需求。

2. 產業新力量

存儲半導體產業的新力量，既有真的新玩家，也有改頭換面的老玩家。

真的新玩家，是指國內存儲半導體的兩個領軍企業：主攻DRAM的合肥長鑫和主攻NAND的長江存儲。這兩家企業在19年都取得階段性的巨大成功，國產19nm DRAM和64L 3D NAND都正式宣佈量產。

長江存儲在2019年9月2日宣告量產基於Xtacking技術64L 256Gb TLC 3D NAND，這是中國首款64層3D NAND存儲芯片。2019年底，長江存儲宣佈在128L NAND獲得重大突破，將跳過96L，於2020年量產128L，進一步縮短與世界領先NAND芯片廠商的產品和技術差距

無論是長鑫還是長江存儲，量產只是走出的第一步，大規模產業化，技術和產品追上領先者還需要五到十年，甚至更長的時間。

老的新玩家，是指換了名字的東芝（記住，改名叫鎧俠了）和結束與Intel合資的鎂光。

2017年東芝集團深陷西屋核電的財務醜聞，做為NAND發明人的東芝存儲半導體倍受牽連，前途不明，恰逢NAND產業正處於2D平面向3D立體堆疊工藝的轉變過程，東芝半導體就此被Intel等拉開差距。然而苦盡甘來，2019年10月1日，東芝存儲半導體在被美日韓資本聯合收購，完成與東芝集團的整體切割後，正式更名

2019年1月，鎂光終止與Intel的合作，收購IMFT合資公司股份，正式宣告在產品路線和運營上與Intel徹底分道揚鑣，轉向獨立開發和運作。隨後在2019年10月，鎂光發佈同樣基於3D Xpoint技術的 Quantx SSD，在100L+ NAND技術上從Floating Gate轉向Replacement Gate。

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