在50年前，英特尔创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出：半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍（在1975年改成每两年）。这也被称为“摩尔定律”，在这50年间，不断有人唱衰摩尔定律走到头了，但每一次都会有新的技术突破，实现了让人惊讶的指数级增长。
在前几年，新的困难又出现了，那就是硅工艺在物理学上的障碍，当特征尺寸缩小到10nm的时候，栅氧化层的厚度仅仅只有十个原子那么厚，在那个时候会产生诸多量子效应，导致晶体管的特性难以控制。例如量子隧穿效应会非常严重，导致晶体管漏电非常严重。
不过三星总裁在2015年的ISSCC上发表主题演讲表示：直到5nm不会有根本性困难。那5nm之后那？霍金对此总结了两点：光的有限速度和材料的原子特性。摩尔本人也对此表示赞同，即使尽一切优势来促进速度提升，但是光速会最终限制性能。
实际上，摩尔定律更多的是有关经济（在2005年，在纪念定律诞生40周年的庆典上，摩尔写到：“摩尔定律的确是关于经济的。”），以这个速度增长可以实现利润的最大化。如果不发展新的制程，成本就会居高不下，利润也无法扩大。如果把所有资本发展新技术，就可能有破产的风险。所以，摩尔定律其实就是“投资发展制程-芯片生产成本降低-用部分利润继续投资发展制程”的最优解。也正是如此，现在高级工艺制程的研发越来越困难，研发成本也越来越高，摩尔定律才会从最开始的一年翻倍，到1975的两年翻倍，再到现在的三年翻倍。
所以，摩尔定律并不是什么自然规律，只是一个经验总结，一种持续创新的期望。也许会变成四年翻倍、五年翻倍，即使到制程无法再进步的时候，也会逐步降低成本。
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