继镁光之后，三星最近宣布已开始批量生产第五代96 层堆叠设计的 V-NAND 闪存芯片，单 Die 容量为 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口时， 三星全新256 Gb闪存输数据的速度最高可达到 1.4 Gbps，相比 64 层 NAND Flash 增加了 40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。
全新 V-NAND 闪存相比 64 层 NAND Flash 在性能上有所增强，主要是因为工作电压已从 1.8V 降至 1.2V，同时新的 V-NAND 是迄今为止的数据写入速度最快的闪存，达到 500 μs，比上一代写入速度提高了约 30%，而对读取信号的反应时间则显著减少到50μs，新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命，并降低桌面及数据中心系统的整体功耗。
在三星的第五代 V-NAND 内部装有超过 90 层的“3D电荷陷阱闪光灯（CTF）电池”，是业内最大的电池并堆叠在金字塔结构中，垂直钻孔贯穿整个微观通道孔。这些通道孔只有几百纳米 (nm) 宽，包含超过 850 亿个 CTF 单元，每个单元可以储存三位数据，这种先进的储存器制造是包括先进电路设计和新工艺技术在内的多项突破的结果。
三星表示，率先会打造单 Die 256Gb 容量 ( 32GB ) 的 V-NAND，与目前大多数 Samsung 消费类 SSD 使用的相同尺寸，预计会在移动及 SSD 市场中得到广泛应用，未来将会推出基于第五代 V-NAND 的 1Tb (128GB) 及 QLC 产品。
分享到:
閱讀更多 智慧新視界 的文章
