国产化芯片提速度,中芯国际28nm产品成功上量,与三星还有多大差距?

真地笑抽了


国产化芯片提速度,中芯国际28nm产品成功上量,与三星还有多大差距?虽然中芯国际28nm产品成功上量,而且14nm制程的良率已经达到了95%,离预定在2019年实现量产再迈进了一大步。不过即使是量产了28nm,和三星和台积电的差距还是很大的。但终究来说,中芯国际还是值得期待能更进一步,虽谈不上很快能追上三星和台积电的步伐,但相比于自己的纵向比较来说步子也算迈得不小了。

中芯国际目前在制造芯片的设备、技术等上面与三星还有很大差距,应该说差不多在三个世代左右。2018年28nm进行量产,14nm才刚测试上线良率达到95%,预计2019年才开始量产。而三星已经在2018年进行7nm制程的量产,三星已经规划5nm、4nm、3nm的日程。中芯国际的28nm制程的营收占比很小,只有几个百分点。

中芯毕竟也是后来者,不管是设备、制造技术及专利等都与三星、台积电有很大的差距。在以前是很难购买到先进设备的,直到2019年中芯国际向ASML订购的一台可生产7nm芯片的EUV光刻机才能够交付。即使交付也并不是马上就能量产7nm芯片,还有相当长时间的制造技术的攻克,良率的提升才行。而真到那时三星又已经在5nm或4nm上可能前进了一大步。

不过不管怎么样,中芯国际在进步,不管别人进步多快,自己也在最大限度的进步就行。在全球十大晶圆代工企业中,市场份额占据了94%,可见垄断地位是如何的高,而其中台积电占据了绝大部分份额达到了55.9%。在芯片制造企业中三星也是一个巨头,为众多芯片设计商生产芯片。可喜的是,在晶圆代工企业中中芯国际还位列十大代工企业里,虽说追上台积电三星可能有些太遥远,但自己的提升也会为自己带来众多的订单的。


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东风高扬


一个28nm,一个都已经进入了8nm,你说有多大差距?


邻章


首先我们看到中芯国际在8日发布新一轮财报,其中有一条显示公司表示已成功上量28纳米技术产品组合,在2017年四季度收入占比贡献达到11.3%,较三季度的8.8%显著提升。这也意味着国产化芯片迎来新的发展机遇。

那么28nm产品成功上量意味着什么?与此前的40nm工艺相比,以28nm工艺制造的处理器逻辑密度翻倍,速度提高20%至30%,功耗将降低30%至50%。而这意味着实现了中国内地制造核心芯片取得突破,开创了28纳米先进制程手机芯片落地中国生产的新纪元。

再看看中国芯片具体发展状况,这方面在台湾或者韩国技术都比较先进,比如联发科和台积电,前者降低了安卓手机的价格门槛,而后者则是iPhone产业链上最重要的成员之一,而他们最重要的生存手段就是半导体芯片设计制造能力,而这或许也是台湾科技最后的自尊。但是中国芯片业就寒碜多了,中国本土芯片行业的供给率尚不足10%,在一些高价值的芯片领域几乎全部依赖进口。

那么随着中芯国际28nm产品成功上量,我们和诸如三星、联发科、台积电还有多大差距呢?其实台积电、三星等将都开始研发或已经量产7nm工艺制程,尤其是在2017年开始,台积电就进行7nm芯片的风险试产,2018年将正式量产。而三星也一样,三星方面表示,有望在今年开始测试7纳米FinFET工艺制程,目标是实现2018年年初能够量产7纳米工艺。

这说明中芯国际与当前最先进的芯片制造工艺还有一段不小的差距。但是不得不说过呃逆半导体行业也在摸索中前进,比如突破3D NAND闪存,这方面主要是长江存储科技在做,而在芯片制造工艺方面,国内比Intel、三星、TSMC落后的更多,这方面追赶还得看SMIC中芯国际。中芯国际据说在2018-2020年左右开始投产14nm工艺,那意味着7nm工艺至少也得在2020年之后了。


科技之窗


晶圆制造是目前芯片设计环节的中上游重要组成部分,因其所需的技术含量高,目前市场一直被台积电、三星、Intel等国际巨头垄断。日前,中芯国际传来了中国晶圆好消息——28nm芯片成功量产。


早在17年中芯国际联席CEO梁孟松就公开表示:中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并借此进入AI芯片领域。当时有不少人在网上嘲讽,好在中芯国际突破难关,不负众望!

那么随着中芯国际28nm产品成功上量,我们和诸如三星、联发科、台积电还有多大差距呢?早在17年,联发科、台积电和三星都开始研发7nm工艺制程了。尤其是台积电,最早开始了7nm芯片的风险试产。目前已经应用到麒麟980以及苹果A12芯片上。但到目前为止,三星


的7nm芯片还没有发布。

但是由于精度越高,技术要求也大幅度增加。这就意味着精度的升级速度越来越大,升级速度也会越来越慢。所以从表面上来看,28nm和7nm相差不大,但这中间至少相差几年甚至几十年的过程。这说明中芯国际与当前最先进的芯片制造工艺还有一段不小的差距。

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科飞猫科技公社


28nm和最先进的7nm看起来差3到4代,其实对追赶者来说,就是差一两代而已,但这中间的鸿沟是巨大的。

28nm除了发热量巨大的CPU、GPU外,其他的芯片已经够用了。

人家有了7nm即便你有10nm,也没啥意义,人家需要低功耗的还是要用7nm的。

中芯28nm 成功了,下一步应该直接10或者7了。

5nm难度加大了,研发速度会慢下来的。

再往下就逐渐接近极限了,研发速度会更慢的。

可以说10年后中芯最多落后一代。不过利润就差的多了。

20年后达到极限,没有代差了,芯片加工业白菜价,中国一统江湖。


微凉云意


三星的技术还不是最先进的,最先进的是英特尔。

所谓的28nm技术是台积电弄出来的,因为按照惯例,新一代晶体管的制程是上一代晶体管的0.7倍左右,所以我们可以看到英特尔的制造工艺是65nm45nm32nm22nm14nm10nm这样的,台积电当年为了营销目的,开发了原本适用于nand闪存的28nm制造工艺,实际上和英特尔的32nm是同一代产品。

32nm或者说28nm工艺,英特尔在2010年左右研发成功并实现大规模量产,而台积电和三星则是在2011年实现了大规模量产。英特尔的22nm工艺在2011年底实现了量产。

从这里看来,我们的差距很大。28nm距离目前三星的顶级工艺差了整整三代,这几乎需要五年的时间去追赶。芯片制造工艺需要大量的资金,还需要技术的积累,显然,我国并没有这样的技术积累。


看球人


感谢您的阅读!

制约中芯的核心是EUV光刻机吗?

当中芯28nm当时上量,被热捧成赶英超台!不久就能超越台积电。但是,想法很美好,现实很残酷。当然,目前中芯已经突破了14nm的桎楛,而且正在研发7nm和10nm工艺。

在芯片制程方面,我们习惯把芯片制程工艺的第一梯队给了三星,台积电以及AMD等。第二梯队给了英特尔。而中芯能否达到第二梯队,看似还有点困难。

所以,我们就在问到底什么制约了中芯的芯片制程工艺呢?到底是不是光刻机?我们中国自己研发的光刻机,似乎还没有大的突破,现在基本上是向国外购置,而且价格相当昂贵,基本上上亿美金。

在光刻机核心技术被禁的时候,当时40nm就比台积电落后了3年,而现在台积电已经在3nm方面进行着手了。所以,这个差距还在扩大。

而我们比较三星和台积电,明显台积电比三星更好点,但是三星在今年5月份,就公布了将向5nm,4nm和3nm工艺迈进,在7nm工艺上,采用的EUV极紫外光刻技术,基本上将三星7nm可以了量产,可想而知,对于中芯来说,这种差距还是比较大的。

但是,我们也要看到中芯的成就,能够做到14 nm良品率达到98%,也非常不容易。而且超越预期,我们也相信中芯必定能更上一层。


LeoGo科技


首先肯定一个观点,差距有,并且在五年左右的差距,目前手机旗舰机型的cpu已经达到7纳米工艺,这个尽人皆知。

但是这是和三星有差距吗?错了!这是和整个西方发达国家的联合体有差距!

就拿三星7纳米工艺的cpu举例子,cpu的架构源自原英国arm公司,目前属于日本软银,制造芯片的光刻机采购于荷兰AMSL公司,而荷兰的这家公司是由三星,台积电和inter公司三家联合投资,光刻机的核心部件镜头采购于德国蔡司,连日本都生产不了如此精密的镜片。咱们数一数,韩国,英国或日本,美国,台湾,荷兰和德国。一个小小,指甲盖大小的芯片,居然需要六七个这个地球上科技,制造业最发达的国家及地区联合投资,共享技术才能制造完成。并且上述这些还是最早发明芯片技术和参与研发的国家。

中国,一个发展中国家,七十年前拥有80%以上文盲,人均GDP排名联合国倒数第二,总GDP落后于印度这么个国家,在70年后,和整个西方发达国家合力完成的芯片帝国差距仅仅5年,可以了,知足吧!毕竟科研人员还在努力追赶,国家还在大力扶持!


拿图片打你脸专家


现在不用急了,7nm,啥的还能玩几年,而且大部分芯片用不到这个规格,包括pc,CPU还有日子才能上来。现在可以慢慢打磨基础扎实点,把14nm和10nm早点拿下,多搞几个光刻机,28nm足够大部分应用,例如内存,存储芯片,各种辅助芯片等等。都不要太高的水平,这些量海了去了。足够中芯国际活的滋润了。14和10nm再拿下就稳了,7nm,5nm上量之前把14以下的市场占有率提升,让台积电他们玩高端吧,中低端占完了,他们也扛不住,上升难度大了,利润不大。发展会慢很多。所以说起制程精度别急着追,把能做的,做扎实,把自己可以搞的精度之下的所有市场吃掉,别人跑的也会慢起来,你才有机会。一味追求精度,忽视市场占有率,忽视利润,想发展起来不容易。


雪一刀007


三星的技术还不是最先进的,最先进的是英特尔。

所谓的28nm技术是台积电弄出来的,因为按照惯例,新一代晶体管的制程是上一代晶体管的0.7倍左右,所以我们可以看到英特尔的制造工艺是65nm45nm32nm22nm14nm10nm这样的,台积电当年为了营销目的,开发了原本适用于nand闪存的28nm制造工艺,实际上和英特尔的32nm是同一代产品。

32nm或者说28nm工艺,英特尔在2010年左右研发成功并实现大规模量产,而台积电和三星则是在2011年实现了大规模量产。英特尔的22nm工艺在2011年底实现了量产。

从这里看来,我们的差距很大。28nm距离目前三星的顶级工艺差了整整三代,这几乎需要五年的时间去追赶。芯片制造工艺需要大量的资金,还需要技术的积累,显然,我国并没有这样的技术积累。

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