芯片崛起:第四代内存DDR4 DRAM亮相,存储芯片终于领来反击一战

11月20日,据集邦咨询消息,由公司旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会(MTS2020)”将于11月27日在深圳金茂JW万豪酒店举办。此次峰会将汇聚全球存储产业链重量级嘉宾包括华为、芝奇、西部数码等多个行业巨头参与活动,并共同探讨2020年存储行业市场的新趋势、新变化。

  • 此外,届时作为我国五大存储芯片企业之一的紫光存储,也将在峰会上携手西安紫光国芯研发设计的第四代内存DDR4 DRAM亮相,并全面展示公司NAND FLASH+DRAM的丰富产品线,力争在未来的存储芯片市场上赢得更多的市场份额,并逐步实现国内存储芯片向高端化自主化发展。

芯片崛起:第四代内存DDR4 DRAM亮相,存储芯片终于领来反击一战

近年来,芯片行业作为国家重大发展战略性产业,随着全球半导体第三次产业向我国转移的趋势愈发明朗,叠加行业人才、技术、资本的产业环境不断成熟,国家在半导体行业的政策支持不断加码,并相继成立一二期大基金;

  • 同时面对外部贸易环境的不断恶化,国内作为最大的半导体市场,却面临着芯片自给低、中高端受制于人的局面,行业的发展越来越关乎到国家战略、安全和经济利益的战略问题,进口替代自主化发展迫在眉睫。

存储器作为芯片半导体行业的第一大细分领域,市场空间超过1200亿美元,其产品长期被日韩垄断了全球主流的市场,国内在这一方面亟待突破。

  • 在上一轮消费电子、汽车电子所带来科技发展浪潮,我国巨大的集成电路消费市场的大蛋糕,便是在日韩垄断的DRAM存储芯片行业下,通过涨价把巨大啊利润拱手于人,而在未来5G大时代下,下游包括大数据、云计算、人工智能等的发展,更是将爆发出更大存储芯片发展市场,为分享全球下一步科技发展的红利,实现国内芯片上的独立自主,存储芯片是重点的领域之一。

在此背景下,自2014年以来,国家大量资金开始投入到DRAM内存领域,一期大基金集成电路制造领域投资超500 亿元,占比份额最大,达到了47.8%,并推动了包括长江存储、合肥睿力、兆易创新、紫光集团、晋华集成等优质内存企业量产。

  • 目前诸如长江存储64层3D NAND闪存量产,并有望改变全球NAND Flash格局,随着国内存储的加速发展,国产自主化的号角将在未来长久吹响。

我们认为,当前继海力士减产、日韩争端后,存储器市场开始出现供需格局回暖的迹象,同时随着5G时代的来临,下游智能手机在功能升级及AI、IoT和大数据等技术的快速发展,也带来了数据爆炸式增长和对存储芯片的海量需求新机遇,并将为存储芯片打开下一个蓝海市场。而近几年,国内存储芯片在国家的大力支持下,下游制造已陆续取得进展,国产化替代进程有望进一步加速,预计相关企业将持续受益,具体可关注:

紫光国微(002049):公司为集成电路设计专业企业,DRAM已量产,依托长江存储打造NAND龙头。公司的DRAM存储器芯片已形成了较完整的系列,包括SDR、DDR、DDR2和DDR3,并开发相关的模组产品。目前,公司的DDR4内存模组已经开始量产并且能够长期供货。本次峰会公司将与紫光存储在此次峰会上展出全新内存产品,展示NAND FLASH+DRAM的丰富产品线;

朗科科技(300042):国内闪存龙头之一,国内唯一拥有闪存盘发明专利的厂商,公司基于自主创新的全球领先技术及专利,专业从事闪存应用及移动存储产品。公司还拥有发明专利”数字货币钱包、交易方法、交易系统和计算机存储介质;

兆易创新(603986):公司是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司;从事存储器及相关芯片的集成电路设计,致力于各种高速和低功耗存储器的研究、开发及产业化。主要产品为Serial Flash及MCP,与合肥产投合作开发12英寸晶圆存储器 ;17亿收购上海思立微涉足传感器业务。


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