近日，長鑫存儲公佈公司最新的DRAM技術路線圖，稱將採用19nm工藝生產4Gb和8Gb DDR4的計算機存儲器，目標在2020年一季度實現商業化並投放市場，此外還將規劃在明年底晶圓月產能達到12萬片的基礎上，繼續計劃再建兩座DRAM晶圓廠，以應對我國未來幾年對存儲器快速增長的強勁需求。
歷來，存儲器作為芯片半導體行業的第一大細分領域，均是兵家必爭之地，且隨著接下來5G大流量時代的來臨，下游包括消費電子、AI、物聯網、車用自動駕駛等存儲數據量的指數級增長需求，數據的爆炸式增長，將同步帶動數據處理能力和數據存儲量——對應DRAM、NAND Flash 需求的增長，也是未來半導體細分領域增速最快的市場。而我國作為全球做大的DRAM需求消費市場，佔據了全球超60%以上的消費份額，而當前主流產品自給率卻十分低下，國產安全自主化迫在眉睫。正是如此，國家近期來投入了大量資金到DRAM內存領域，引導長鑫存儲和兆易創新等一批企業開始第一次切入了DRAM主流高端市場。
得益於近年來國內掀起的新一輪半導體產業投資熱潮，在國家大基金全產業鏈的主導投資扶持下，我國憑藉著市場、資本、人才、技術等產業環境的不斷成熟，引導全球半導體產業第三次產業轉移逐步邁向我國大陸，也為國內半導體產業迎來了全面發展的基礎。
作為關乎國民經濟和國家安全的戰略性產業，供應鏈的自主可控勢在必行，疊加新一代5G通訊科技的在我國快速發展，下游的爆發，正在為我國半導體行業帶來巨大發展機遇。據賽迪智庫預計，2019-2021年，國內 DRAM 市場將達到 2790、3345、4505 億元，在去年年底行業下滑的大背景下，未來幾年將迎來逆轉，在存儲器快速增長的需求驅動下，在未來幾年會再度迎來強勁的增長。
市場普遍認為，我國作為全球最大的 DRAM 需求市場，繼海力士減產、日韓爭端後，當前存儲器市場已出現供需回暖的跡象，同時隨著明年全球5G商用的加速進行，下一階段包括5G通訊、物聯網設備、車用自動駕駛等存儲數據量的增長需求，將帶來數據爆炸式增長和對存儲芯片的海量需求，且國內自主化替代成熟北京下，將為我國存儲芯片迎來一片新的藍海市場。在一二期大基金的引導下，目前上下游IC設計、製造、封測等全產業鏈企業已陸續取得進展，國產化替代進程有望進一步加速，預計相關企業將持續受益，具體可關注：
兆易創新（603986）：公司是國內首家專業從事存儲器及相關芯片設計的集成電路設計公司；從事存儲器及相關芯片的集成電路設計，致力於各種高速和低功耗存儲器的研究、開發及產業化。主要產品為Serial Flash及MCP，與合肥產投合作開發12英寸晶圓存儲器 ；17億收購上海思立微涉足傳感器業務，近期公告將定增43億用於DRAM 芯片研發及產業化項目;
北方華創（002371）：公司是北京國資委旗下的半導體設備生產商，承擔著國產芯片製造設備國產化重任，是目前國內唯一一傢俱有8英寸立式擴散爐和清洗設備生產能力的公司。公司目前產品包括集成電路生產所必須的刻蝕機、薄膜機、清洗機、氧化爐以及生產光伏硅片的單晶爐，產品體系國內最全，是國產半導體設備龍頭；
長電科技（600584）：公司是目前國內唯一一傢俱有RF-SIM卡封裝技術的廠商，主營業務為集成電路、分立器件的封裝與測試以及分立器件的芯片設計、製造；為海內外客戶提供涵蓋封裝設計、焊錫凸塊、針探、組裝、測試、配送等一整套半導體封裝測試解決方案。半導體行業的景氣回暖及國產替代趨勢延續，將使得公司迎來基本面上行期，業績迎來逆轉。
閱讀更多 股海獵人 的文章
