極紫外光刻，簡稱EUV，是一種先進的光刻技術。
近期，作為全球最大的晶圓代工廠，臺積電（TSMC）宣佈自己成為首家將EUV光刻技術商業化的芯片製造商。臺積電在一份新聞聲明中表示，它已在迅速部署產能，以滿足多個客戶的迫切需求。
Arete Research高級分析師Jim Fontanelli說“臺積電在EUV芯片領域顯然處於領先地位，無論是所用的工具還是訂購的工具，生產的商用EUV芯片數量，還是將EUV集成到未來路線圖中。”
他說，目前的領先優勢是7nm製程技術，其中約三層是使用EUV完成的。據Fontanelli稱，到2020年，臺積電將在下半年將5nm的產能增加到大約15層，然後在2020年底將6nm的產能增加到大約4層。
他說，由於7nm晶圓的有限供應量，AMD可能成為臺積電7nm的主要客戶，但華為將在5nm供應上領先，蘋果緊隨其後，雙方都希望利用芯片尺寸優勢，以及正常的功率和速度改進。與此同時，聯發科可能成為臺積電6nm的主要客戶，因為在7nm上的晶圓供應有限。
作為臺積電代工業務的主要競爭對手，三星表示EUV一直難以實現，但該技術將成為芯片生產更精細功能的關鍵。EUV光刻的功率目標至少為250w，而其他傳統光刻源的功率目標要小得多。浸泡式光刻光源的目標功率為90w，乾燥ArF(氟化氬)光源功率為45w, KrF(氟化氪)光源功率為40w，高鈉EUV源預計至少需要500w。
然而，EUV提供了關鍵優勢，可以抵消在7納米及更高級節點上製造芯片的高昂費用。三星表示，EUV可以將掩模水平降低約20％，從而縮短了生產週期。利用EUV工藝的芯片設計人員可以避免使用193nm浸沒式光刻技術時晶圓廠一直在努力的三重和四重圖案化技術。
“過去的每個月都讓這種越來越強大的技術變得更有吸引力，對前沿半導體行業來說也變得更加必要，”三星代工業務首席專家永珠全(Yongjoo Jeon)表示。
據Arete分析師Fontanelli稱，去年年底三星推出了EUV和7LPP節點，產品內部用於三星的應用處理器，也可能用於高通，但量不大。他說，三星計劃明年推出6納米EUV，並在2021年量產5納米EUV。
Fontanelli說:“關鍵的問題是晶圓的體積 —— 雖然三星保證了手機的內部體積，但他們的外部客戶數量有限，高通是他們的主要客戶。”他補充稱，三星可能會把高通的部分業務拱手讓給臺積電。
EUV三重奏
目前，只有三個芯片製造商（臺積電，三星和英特爾）計劃在其生產路線圖中採用EUV。豐塔內利表示，英特爾位居第三。
Fontanelli說：“英特爾承諾將在2021年的某個時候，推出EUV 7納米芯片。” “由於工藝要求的差異，芯片層數會低於5nm的TSMC，可能少於10層。”
英特爾仍然是EUV競賽中的黑馬。VLSI Research首席執行官Dan Hutcheson表示：“英特爾是這三者中的佼佼者，因為它無需為了銷量而公開其研發進展，而是一直善於將其光刻工具推向一個新的節點。” 。 “多年來，英特爾一直是EUV的積極推廣者。英特爾沒有在市場上誇耀EUV的需求，因此他們只有在已經確定生產計劃後才會宣佈。”
IC Insights副總裁Matas指出，英特爾原本計劃在2017年推出7nm製程處理器，但14nm製程和10nm製程的延遲將該公司推出7nm製程處理器的計劃推遲到2021年。2019年5月，英特爾高管表示其7nm技術將挑戰臺積電計劃的5nm製程的性能。
EUV的普及
EUV技術的完全普及可能還需要幾年時間，這讓小規模的芯片製造商鬆了口氣，他們可以短時間內繼續使用原有的光刻工具。
Linley Group的首席分析師Linley Gwennap說:“EUV只適用於最小的功能，所以我們預計晶圓廠將繼續在大多數層上使用光學元件。”臺積電表示，7nm+將EUV用於4層，而下一代5nm節點將EUV用於14層。隨著晶體管的不斷縮小，EUV需要更多的層。”
Gwennap表示，儘管臺積電表示，其7nm處理器的產量不錯，但我們尚未看到任何搭載7nm+處理器的手機。他指出，華為的Mate 30手機使用的是7nm麒麟990，而不是7nm+ 5G版本。Gwennap表示，相比之下，三星自8月起就開始在Note 10智能手機中搭載7納米EUV芯片，因此收益率必須合理。
“英特爾至少落後了兩年，它的第一款EUV產品最多也要到2021年底才能推出，”Gwennap說。
