近日，国内最大晶圆代工厂中芯国际发布2019年财报时提到，先进工艺是中芯国际2020年发展重点，其中N+1工艺已经进入客户导入及产品认证阶段。
国产芯片竞争力逐步上升，国产替代步伐进一步提速，在“新基建”风口下，芯片产业链发展迎来发展机遇。
国产芯片绝地突围 N+1工艺商业化提速
作为国内芯片代工龙头企业，中芯国际连发利好消息，不仅引入光刻机扩大芯片产能，在芯片工艺上也持续发力，N+1、N+2工艺更是大大提高芯片性能。
据了解，其N+1工艺已经进入为客户导入阶段，预计第四季度实现有限量产，商业化步伐进一步提升。根据中芯国际相关人士解释，N+1工艺的功耗和稳定性与市场上的7nm相比基本无异，其性能比14nm提高了约20%。而且N+1工艺打破芯片生产对荷兰ASML最新EUV光刻机的依赖，大大提高国产芯片扩能的可能性，对突破芯片困局大有裨益。
而且，据证券时报最近报道，华为将把部分手机“麒麟”芯片转到中芯国际代工，并利用中芯国际最新研发的N+1 制程工艺技术。中芯国际N+1工艺逐步获得业界信赖，对于打破国外垄断有重要意义。
不得不说，国产芯片势力爆发，自主研发能力的提升，将会带动芯片国产替代的提速发展。在5G时代下，芯片产业链迎来红利爆发期。
新基建风口 5G芯片“火力全开”
日前，“新基建”建设进行的如火如荼，带动5G芯片迎来发展红利期。近日，工业和信息化部发布的《关于推动5G加快发展的通知》，提出全力推进5G网络建设，充分发挥5G新型基础设施的规模效应和带动作用。预计今年年底，将实现全国5G基站数超60万个，这将会带动中上游芯片需求增长，半导体产业回暖加速，国产芯片势力抬头。
除了芯片制造领域获得提速发展之外，在芯片设计环节，华为海思、紫光等都已经突破技术局限，尤其是华为海思已经掌握7nm芯片设计技术，跻身世界前列。紫光展锐也发布了旗下新一代5G SoC芯片虎贲T7520，采用6nm EUV制程工艺，发力5G全场景应用终端平台。
值得一提的是，由中微半导体设备公司自主研发的5nm刻蚀机得到台积电认可，加速国产芯片核心制造设备的商用化步伐，为国内高端芯片制造带来新的曙光。
“新基建”风口下5G迎红利爆发期，国产芯片产业链趁势崛起，商业化落地指日可待。伴随着我国自主研发能力的不断提升，中国芯将逐步减少对国外芯片的依赖，抢跑5G，或许已经成为不可逆转的事实。
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