2019年初，中芯国际投资额达100亿美元，完成中芯国际南方FinFET晶圆厂的建设，该晶圆厂将用于领先的制造技术，并将在设备中投入使用。一旦该晶圆厂准备投入商业运营，中芯国际将能够使用其14纳米和12纳米FinFET制造技术来显着提高芯片产量。 Center International是中国最大的半导体制造商，也是中国第一家加入FinFET俱乐部的公司。
在2019年第四季度，中芯国际首次开始使用其14 nm FinFET制造工艺开始大规模生产芯片。由于只有很少的公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺，因此中芯国际的FinFET生产线比其他代工厂要小得多。中芯国际的前代制造技术为28纳米，因此14纳米工艺切实提高了晶体管的密度，提高了性能，并降低了功耗，这自然使该公司能够生产出更复杂，更昂贵的芯片，而这些芯片原本可以外包给更大的竞争对手，加之国内对少数公司开发了依赖于此类晶体管的制造工艺，中心国际的芯片竞争优势并不显著。
从那时起，该公司一直在努力开发其下一个主要节点，称为N +1。该技术具有与竞争性7 nm工艺技术相当的某些功能，但SMIC希望明确表明N + 1不是7。 nm技术。
与SMIC的14 nm制程技术相比，N + 1将功耗降低了57％，性能提高了20％，逻辑面积减少了63％。尽管此过程使芯片设计人员能够使SoC变得更小，更节能，但适度的性能改进无法使N + 1与竞争对手的7nm技术及其派生产品竞争。因此，中芯国际将其N + 1定位为便宜的芯片技术。
中芯国际发言人说：“我们对N + 1的目标是低成本应用，与7纳米相比，它可以将成本降低约10％。因此，这是一个非常特殊的应用。”
值得一提的是，中芯国际的N + 1没有使用极端紫外光刻（EUVL），因此制造商无需从ASML购买其他昂贵的设备。但这并不是说该公司尚未考虑EUV（该公司确实获得了EUV逐步扫描系统），但尚未安装，据报道是由于美国施加的限制。结果，中芯国际的N + 2将使用EUV。
这家来自中国的制造厂计划在2020年第四季度开始使用其N + 1技术进行风险生产，因此预计该工艺有时会在2021年或2022年进入批量生产（HVM）。
閱讀更多 sinphy的知產圈 的文章
