英特爾邁入7納米制程,拒絕擠牙膏!EUV7納米正在行進中

AMD與英特爾的大戰從未停歇過。AMD銳龍Threadripper 2990WX將英特爾挑下神壇,作為反制,英特爾的研發也是絲毫不停歇!

英特爾邁入7納米制程,拒絕擠牙膏!EUV7納米正在行進中

英特爾最初計劃在2016年下半年進入量產階段的10納米工藝技術,至今仍未被公司全面使用。目前,該流程僅用於生產少量CPU,預計在2019年晚些時候將大批量生產。毫無疑問,英特爾在其10納米工藝上遭遇了數年的延遲,嚴重影響了公司的產品陣容及其業務。10納米的市場上,可以說是遭遇滑鐵盧了。

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事實證明,英特爾的10納米現在看來可能是一個短生命節點,因為該公司的7納米技術正按照其原始計劃進行引入。

英特爾多次表示,10nm製程開發遇到問題的很大原因是它為10納米制造工藝設定了過於激進的縮放/晶體管密度目標。英特爾的10納米制造技術完全依賴於深紫外光刻(DUVL),激光器工作在193納米波長。為了實現英特爾在10納米上實現的精細特徵尺寸,該過程必須大量使用多重圖案。根據英特爾的說法,這個過程的一個問題是它對多重圖形的大量使用(用四元模式描述更為準確)。

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相比之下,英特爾的7納米生產技術將使用激光波長為13.5納米的極紫外光刻(EUVL),該技術的運用,減少了對某些金屬層的多重圖案使用,從而簡化了生產並縮短了週期時間。同時,7納米制造團隊與10納米技術團隊分開開發。因此,英特爾表示,其開發工作正在順利進行,並預計將根據英特爾未公佈的路線圖進入HVM。

英特爾首席工程官兼總裁Murthy Renduchintala在納斯達克第39屆投資者大會上表示:

“7納米對我們來說是一個獨立的團隊,主要是一個單獨的努力。我們對7 nm的進展感到非常滿意。我認為我們已經從10 nm的經驗中吸取了大量的經驗,因為我們對此進行了定義,並在晶體管密度,功率和性能以及進度可預測性之間定義了不同的優化點。因此,根據我們最初的內部計劃,我們非常非常專注於獲得7納米。“

英特爾高管重申,該公司計劃在2019年使用其10納米工藝技術開始HVM生產面向大眾的CPU,企業級產品將在稍後推出。也就是說,英特爾顯然沒有跳過任何已宣佈的10納米產品,但暗示其7納米產品可能比我們今天預期的更早(即10納米後4年)上市。

“我要說的一點是,當你看到7納米時,對於我們來說,這真的是我們將EUV重新投入製造的時間點,因此,我認為,這將一定程度的支持我們真正談論的傳統摩爾定律的節奏。“

“7納米的製程使我們回到更像是一個2倍的縮放因子,然後真正向前推進這個目標。”

英特爾從未公開其7納米制造技術的特性,但多模式使用的大幅減少,同時更傳統的2倍縮放目標與10納米相比表明——EUVL的使用更為廣泛。

根據ASML,一個EUV層需要一個EUV步進掃描系統,每月約45,000個晶圓來啟動。因此,如果英特爾計劃將EUVL廣泛用於10到20層,那麼每個月需要100,000個晶圓啟動的工廠需要的EUVL掃描儀大約20到40個。考慮到英特爾不是唯一計劃在2020年使用EUVL的公司,在多個晶圓廠獲得HVM可能需要的EUVL掃描儀數量是一個艱鉅的挑戰。

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與此同時,到目前為止,英特爾已經公佈的資料中只有一個7納米晶圓廠:亞利桑那州的Fab 42。此外,該公司將在D1工廠開發和試驗7納米的技術(以及其他方面)。

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英特爾一直在研究這個問題,決定在工藝部門進行一些嚴肅的重組,並採用目前的10納米技術團隊進行。可能有些員工在這個問題上失去了工作。英特爾希望通過將工藝轉移到新的7nm製程以換得在2019年之前推出超快速低功耗產品。

筆者認為:AMD加強了對英特爾的競爭 ,但我相信這是英特爾對這一挑戰的回應並期待其努力的反擊。

歷史表明英特爾非常努力地回擊。AMD希望在2019年獲得大量市場份額,因為2020年英特爾將會肆虐。對於研發事宜,英特爾顯然已經保守秘密 ,儘管從邏輯上說他們會以10nm的大幅度衝突來糾正這個問題 。隨著競爭加劇,7nm製程提上議事日程,英特爾會跳過它的邏輯10nm用於修改更快的7nm版本。

當然,英特爾最初的10nm在密度方面相當於競爭對手的7nm,因此這個新版本可能更加密集。


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