继三星Z-NAND和英特尔3D XPoint之后，东芝在去年的闪存峰会上发布了XL-FLASH，这是一款低延迟SLC 3D NAND闪存。东芝当时并没有透露太多细节，但今年东芝披露了将其推向市场的时间表：九月开始取样，明年开始量产。
第一个XL-FLASH部件将使用一个128Gb的Die，分为16个Plane，以支持比现有的面向容量的3D NAND部件更高的并行度。页面大小将为4kB，明显小于大多数3D NAND使用的大小，但这并不奇怪，因为XL-FLASH每个单元只存储一位，而大多数3D NAND 存储3位或4位。东芝的新闻稿没有透露擦除块的大小，但我们预计它将同样小于用于大容量NAND设计。至于性能,东芝表示读延迟将少于5微秒。
东芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之间最大的区别可能在于商业模式。三星将Z-NAND用于自己的Z-SSD产品中，而东芝的XL-FLASH将与他们的3D TLC和QLC NAND一样出售。我们已经从一些SSD控制器供应商那里听说，他们计划在他们即将推出的控制器中支持XL-FLASH，所以当XL-FLASH开始进入市场时，它可能会在几个竞争品牌的SSD中出现。
原文链接：https://www.anandtech.com/show/14707/toshiba-launches-xlflash-3d-slc-nand
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