西数 联合 东芝 开发128层3D TLC颗粒:写入性能翻番

据业内消息,东芝联合Western Digital(WD西数)正计划推出128层堆叠3D NAND颗粒,将于2020-2021年实现商业化量产。

西数 联合 东芝 开发128层3D TLC颗粒:写入性能翻番

据悉,此次联合开发的128层堆叠3D NAND颗粒属于TLC类型,命名为BiCS-5,而不是QLC,单芯容量高达512GB,比96层容量提升33%。

西数 联合 东芝 开发128层3D TLC颗粒:写入性能翻番

BiCS-5芯片采用128L 4P方案,创新CuA(阵列电路)将磨具分为四个部分,数据层堆叠在上面,而逻辑电路位于最底层,这样设计不仅可缩小芯片15%体积,而且具有更好的性能表现,每个部分可以独立互不影响的高速访问,单通道写入性能从66MB/s提升至132MB/s。

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