近日，國內最大晶圓代工廠中芯國際發佈2019年財報時提到，先進工藝是中芯國際2020年發展重點，其中N+1工藝已經進入客戶導入及產品認證階段。
國產芯片競爭力逐步上升，國產替代步伐進一步提速，在“新基建”風口下，芯片產業鏈發展迎來發展機遇。
國產芯片絕地突圍 N+1工藝商業化提速
作為國內芯片代工龍頭企業，中芯國際連發利好消息，不僅引入光刻機擴大芯片產能，在芯片工藝上也持續發力，N+1、N+2工藝更是大大提高芯片性能。
據瞭解，其N+1工藝已經進入為客戶導入階段，預計第四季度實現有限量產，商業化步伐進一步提升。根據中芯國際相關人士解釋，N+1工藝的功耗和穩定性與市場上的7nm相比基本無異，其性能比14nm提高了約20%。而且N+1工藝打破芯片生產對荷蘭ASML最新EUV光刻機的依賴，大大提高國產芯片擴能的可能性，對突破芯片困局大有裨益。
而且，據證券時報最近報道，華為將把部分手機“麒麟”芯片轉到中芯國際代工，並利用中芯國際最新研發的N+1 製程工藝技術。中芯國際N+1工藝逐步獲得業界信賴，對於打破國外壟斷有重要意義。
不得不說，國產芯片勢力爆發，自主研發能力的提升，將會帶動芯片國產替代的提速發展。在5G時代下，芯片產業鏈迎來紅利爆發期。
新基建風口 5G芯片“火力全開”
日前，“新基建”建設進行的如火如荼，帶動5G芯片迎來發展紅利期。近日，工業和信息化部發布的《關於推動5G加快發展的通知》，提出全力推進5G網絡建設，充分發揮5G新型基礎設施的規模效應和帶動作用。預計今年年底，將實現全國5G基站數超60萬個，這將會帶動中上游芯片需求增長，半導體產業回暖加速，國產芯片勢力抬頭。
除了芯片製造領域獲得提速發展之外，在芯片設計環節，華為海思、紫光等都已經突破技術侷限，尤其是華為海思已經掌握7nm芯片設計技術，躋身世界前列。紫光展銳也發佈了旗下新一代5G SoC芯片虎賁T7520，採用6nm EUV製程工藝，發力5G全場景應用終端平臺。
值得一提的是，由中微半導體設備公司自主研發的5nm刻蝕機得到臺積電認可，加速國產芯片核心製造設備的商用化步伐，為國內高端芯片製造帶來新的曙光。
“新基建”風口下5G迎紅利爆發期，國產芯片產業鏈趁勢崛起，商業化落地指日可待。伴隨著我國自主研發能力的不斷提升，中國芯將逐步減少對國外芯片的依賴，搶跑5G，或許已經成為不可逆轉的事實。
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