據業內消息，東芝聯合Western Digital（WD西數）正計劃推出128層堆疊3D NAND顆粒，將於2020-2021年實現商業化量產。
據悉，此次聯合開發的128層堆疊3D NAND顆粒屬於TLC類型，命名為BiCS-5，而不是QLC，單芯容量高達512GB，比96層容量提升33％。
BiCS-5芯片採用128L 4P方案，創新CuA（陣列電路）將磨具分為四個部分，數據層堆疊在上面，而邏輯電路位於最底層，這樣設計不僅可縮小芯片15％體積，而且具有更好的性能表現，每個部分可以獨立互不影響的高速訪問，單通道寫入性能從66MB/s提升至132MB/s。
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